LGE3549XS P21是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等高效率电力电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能,非常适合在高频、高压环境下工作。
该型号为N沟道增强型MOSFET,其封装形式通常为TO-220或TO-247,具体根据制造商版本略有不同。由于其出色的电气性能和可靠性,LGE3549XS P21被许多设计工程师视为高功率应用的理想选择。
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:12A
导通电阻(典型值):0.18Ω
总功耗:160W
结温范围:-55℃至175℃
输入电容:1000pF
反向传输电容:350pF
开关时间(典型值):开通延迟时间:45ns,关断传播时间:25ns
LGE3549XS P21具有以下显著特点:
1. 高耐压能力,支持高达600V的工作电压,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计,典型值仅为0.18Ω,有效降低了导通损耗。
3. 快速开关速度,确保了高效能表现,尤其适合高频电路。
4. 强大的散热能力,能够承受较高的结温范围(-55℃至175℃),适应恶劣环境。
5. 出色的可靠性和稳定性,满足工业级及汽车级应用需求。
6. 支持大电流操作,连续漏极电流可达12A,峰值电流更高。
这些特性使得LGE3549XS P21成为高效率电力电子设备中的关键元件。
LGE3549XS P21主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):包括适配器、充电器和各种AC-DC转换器。
2. 电机驱动:用于控制步进电机、无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电动机。
3. DC-DC转换器:在分布式电源系统中实现电压调节。
4. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
5. 汽车电子:包括启动马达、雨刷控制系统、电动车窗驱动等。
6. 照明系统:例如LED驱动电路和高强度放电灯(HID)镇流器。
该芯片因其卓越性能而广泛应用于上述各类场景。
IRF840, STP12NM60, FQP13N60