LGE107RC-RP-T9 时间：2025/5/29 18:20:44 阅读：22

LGE107RC-RP-T9 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效能和低损耗的电力电子应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
　　这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够有效处理高电流负载，并具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式经过优化设计，有助于提高散热性能并简化 PCB 布局。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻：2.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关速度：100ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263

特性

LGE107RC-RP-T9 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在高电流条件下减少功率损耗。
　　2. 高效的开关性能，适合高频操作环境。
　　3. 稳定的工作温度范围，支持极端气候条件下的可靠运行。
　　4. 具备强大的过流保护能力，提高了整体系统的安全性。
　　5. 封装结构紧凑，便于集成到复杂电路设计中。
　　这些特点使 LGE107RC-RP-T9 成为众多电力转换和电机驱动应用的理想选择。

应用

LGE107RC-RP-T9 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器。
　　2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机控制。
　　3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
　　4. LED 驱动器和汽车电子系统。
　　5. 快速充电适配器和其他便携式电子产品的电源管理模块。
　　其卓越的性能和灵活性使其成为许多现代电子设备的核心组件。