LGE107RC-RP-T9 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于需要高效能和低损耗的电力电子应用。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够有效处理高电流负载,并具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式经过优化设计,有助于提高散热性能并简化 PCB 布局。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:35A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:100ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
LGE107RC-RP-T9 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保在高电流条件下减少功率损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频操作环境。
3. 稳定的工作温度范围,支持极端气候条件下的可靠运行。
4. 具备强大的过流保护能力,提高了整体系统的安全性。
5. 封装结构紧凑,便于集成到复杂电路设计中。
这些特点使 LGE107RC-RP-T9 成为众多电力转换和电机驱动应用的理想选择。
LGE107RC-RP-T9 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器。
2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机控制。
3. 太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
4. LED 驱动器和汽车电子系统。
5. 快速充电适配器和其他便携式电子产品的电源管理模块。
其卓越的性能和灵活性使其成为许多现代电子设备的核心组件。
LGE107RC-RQ-T9, IRFZ44N, FDP5500