LG72502DF 时间：2025/6/6 17:18:29 阅读：5

LG72502DF是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
　　该器件为N沟道增强型MOSFET，通过优化的结构设计，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗和导通损耗。其坚固的设计使其能够承受较高的浪涌电流和电压应力，非常适合工业和消费类电子产品的应用需求。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：120A
　　导通电阻：1.3mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　总电容：4500pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

LG72502DF的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提升整体系统效率。
　　2. 快速的开关速度，能够有效降低开关损耗。
　　3. 高额定电流能力，可支持大电流负载的应用场景。
　　4. 具备良好的热性能，适合高功率密度设计。
　　5. 强大的抗雪崩能力，确保在异常条件下的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且安全。

应用

LG72502DF广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. 工业电机驱动及控制电路。
　　3. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）的电池管理系统。
　　4. 高效DC-DC转换器模块。
　　5. 大功率LED驱动器。
　　6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。