LFV14-10 时间：2025/8/30 8:20:54 阅读：15

LFV14-10 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效功率转换应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。LFV14-10采用先进的Trench栅极技术，提供优异的热性能和高功率密度，适用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs=4.5V，40mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOT-23

特性

LFV14-10 MOSFET具有多项高性能特性，使其适用于各种功率管理应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压可在2.5V至4.5V范围内工作，支持低压控制器和逻辑电路的直接驱动，适用于现代低电压数字控制系统。
　　此外，LFV14-10采用了先进的Trench MOSFET技术，提供了优异的热稳定性和较高的电流密度。这种技术使得器件在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提高整体系统的可靠性。
　　TSOT-23封装形式不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，适用于紧凑型PCB设计。该封装还支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　LFV14-10的高可靠性和优异的电气性能使其在便携式电子设备、电源管理模块、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制应用中表现出色。

应用

LFV14-10广泛应用于多个领域，包括便携式电子设备中的负载开关和电源管理单元，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。它也适用于各类DC-DC转换器，包括升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）拓扑，用于提高电源转换效率。
　　在电池管理系统中，LFV14-10可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池的安全运行。此外，它也适用于电机驱动电路，特别是在小型电机或步进电机的控制中，提供高效可靠的开关功能。
　　由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET也常用于LED照明驱动、热插拔电源控制以及各种低电压高效率的开关电源应用。