LFL181G94TF7E084 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性。它能够有效降低功耗并提高系统效率,同时支持较高的工作电压和电流。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关速度:快速
封装形式:TO-247
LFL181G94TF7E084 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 1.5mΩ,从而显著降低导通损耗。
2. 高效的散热设计,确保在高功率应用中的稳定运行。
3. 快速开关能力,栅极电荷较小(45nC),适用于高频开关电路。
4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,能够在异常条件下保护电路。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
6. 提供多种保护功能,例如过流保护和短路保护,增强了系统的可靠性。
LFL181G94TF7E084 广泛应用于需要高效功率转换的场景中,主要包括以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统,如启动电机、燃油泵控制等。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关的功率转换模块。
5. DC-DC 转换器和降压/升压电路中的功率开关元件。
6. 高效 LED 驱动电路,提供精确的电流调节和稳定的输出。
LFL181G94TF7E032, LFL181G94TF7E068