LFE3-70E7FN672I 是 Lattice Semiconductor(莱迪思半导体)推出的一款高性能、低功耗的FPGA(现场可编程门阵列)芯片,属于LatticeECP3系列。该芯片采用了先进的65纳米工艺技术,具备高密度逻辑单元、丰富的I/O资源以及高效的嵌入式存储器。该器件专为通信、工业控制、消费电子以及汽车应用等高性能需求场景而设计。LFE3-70E7FN672I 采用 672 引脚的 FBGA 封装形式,提供了良好的电气性能和热稳定性。
型号: LFE3-70E7FN672I
制造商: Lattice Semiconductor
系列: LatticeECP3
逻辑单元数量: 70,000 LUTs
嵌入式存储器: 2.7 Mbits
I/O引脚数量: 480
最大系统门数: 10.7 亿门
工作电压: 1.0V 核心电压,2.5V 或 3.3V I/O 电压
封装类型: 672-pin FBGA
温度等级: -40°C 至 +100°C 工业级
最大工作频率: 可达 300 MHz
内置资源: 支持 DDR2/DDR3 SDRAM、PCIe Gen1/Gen2、Gigabit Ethernet、SATA 等接口
LFE3-70E7FN672I 是 LatticeECP3 系列中的一款高性能 FPGA,具备多个显著的技术特性,适用于多种复杂系统设计。
首先,该芯片支持高达 70,000 个逻辑单元(LUT),并集成了 2.7 Mbits 的嵌入式存储器,能够满足复杂算法和数据处理任务的需求。其 I/O 引脚数量多达 480 个,支持多种 I/O 标准,包括 LVDS、LVCMOS、SSTL 等,适用于高速接口和低功耗设计。
其次,LFE3-70E7FN672I 内置了多个硬核 IP 模块,如 PCIe Gen1/Gen2 接口、Gigabit Ethernet MAC、SATA 控制器等,能够显著降低设计复杂度,提高系统集成度,并缩短产品上市时间。此外,该芯片还支持 DDR2/DDR3 SDRAM 控制器,适用于大容量数据缓存和高速数据传输应用。
该芯片采用 65nm 工艺制造,具有较低的静态功耗和动态功耗,适用于对功耗敏感的便携式设备和高密度嵌入式系统。其 1.0V 核心电压和 2.5V/3.3V I/O 电压设计,在保证性能的同时实现了良好的能效比。
在封装方面,LFE3-70E7FN672I 使用 672 引脚的 FBGA 封装,具有良好的散热性能和电气稳定性,适合在工业级温度范围(-40°C 至 +100°C)内运行,适用于工业自动化、通信设备、视频处理等严苛环境下的应用。
LFE3-70E7FN672I 适用于多种高性能嵌入式系统设计,主要包括以下几个方面:
在通信领域,该芯片可应用于无线基站、光通信模块、网络交换设备等,利用其内置的高速接口和丰富的 I/O 资源实现数据传输与协议转换。
在工业控制方面,该芯片可作为主控单元,用于运动控制、传感器融合、自动化设备中的逻辑处理与实时控制。
在消费电子领域,该芯片可用于高清视频处理、图像采集与显示控制,支持 HDMI、LVDS 等视频接口,适用于智能显示设备和多媒体终端。
在汽车电子中,该芯片可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)中的图像处理模块,满足对实时性和可靠性的高要求。
此外,该芯片还可用于测试测量设备、医疗成像系统、无人机控制平台等专业领域,提供灵活的可编程逻辑资源和高速数据处理能力。
LFE3-95E7FN672I, LFE3-150E7FN672C, LFE3-70E6FN672I