LETF701T1G 时间：2025/8/13 13:10:55 阅读：31

LETF701T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率电源转换和功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。LETF701T1G 采用先进的沟槽工艺技术制造，提供了优异的热稳定性和电气性能。该器件通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理电路中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：7A
　　最大漏源电压 (Vds)：20V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12V
　　导通电阻 (Rds(on))：11mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻 (Rds(on))：14mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散：3.2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerT6

特性

LETF701T1G 是一款专为高效能功率转换应用设计的 N 沟道 MOSFET，具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 11mΩ，而在较低的栅极电压（Vgs=2.5V）下，Rds(on) 也仅为 14mΩ，这使得该器件适用于低电压驱动电路。此外，LETF701T1G 的最大漏极电流为 7A，最大漏源电压为 20V，使其能够在中等功率范围内稳定运行。
　　该 MOSFET 采用了先进的沟槽式制造工艺，提升了热稳定性和耐久性。其 PowerT6 封装具有良好的热管理能力，能够有效地将热量散发出去，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。LETF701T1G 的栅极驱动电压范围为 ±12V，使其兼容多种常见的栅极驱动电路，包括低压控制器和逻辑 IC。
　　此外，该器件的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和同步整流器。其高可靠性设计也使其适用于对稳定性和耐用性要求较高的工业和汽车应用。

应用

LETF701T1G 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。它常用于 DC-DC 转换器中的高边或低边开关，适用于笔记本电脑、电源适配器、电池充电器等设备。在负载开关电路中，LETF701T1G 可用于控制电源供应的开启与关闭，实现对系统模块的智能电源管理，从而提高整体能效。
　　该器件也广泛用于同步整流器中，以提高 AC-DC 转换器和反激式电源的效率。由于其低导通电阻和快速开关特性，LETF701T1G 非常适合用于需要高频操作的电源拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Inverting）转换器。
　　此外，LETF701T1G 还可用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径的控制开关，确保电池组的安全运行。在工业自动化设备、电机驱动和 LED 照明电源中，该 MOSFET 同样表现出色，能够满足高效率和高可靠性的需求。