类型：单向TVS二极管
　　工作电压：6.8 V
　　击穿电压：最小7.56 V @ IT=1 mA
　　最大钳位电压：13.3 V @ IPP=1 A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1 A
　　反向漏电流：最大5 μA @ VR=5.5 V
　　响应时间：小于1 ns
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

LESDA6V8V5T1G 具有出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并吸收高能量的瞬态脉冲，从而保护后端电路免受损坏。该器件采用单向TVS结构，适用于直流电路中的电压钳位保护。其低钳位电压特性有助于在发生瞬态事件时将电压控制在安全范围内，从而降低对被保护元件的损害风险。此外，LESDA6V8V5T1G 的SOD-523小型封装使其非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。
　　该TVS二极管的反向漏电流非常低，在正常工作条件下对电路的影响可忽略不计。其响应时间低于1纳秒，能够在静电放电或快速电压瞬变事件中迅速起效，提供即时保护。器件符合IEC 61000-4-2标准的ESD抗扰度要求，适合用于USB接口、HDMI、以太网、RS-232/RS-485通信线路以及其他需要高可靠性和高性能的电路保护应用。
　　LESDA6V8V5T1G 的制造工艺确保了其在极端温度条件下的稳定性和可靠性，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子系统中的应用。由于其优异的性能指标和紧凑的封装形式，该器件广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络设备和工业控制系统等电子设备中。

LESDA6V8V5T1G 主要用于需要高精度电压保护的低电压电子系统中，典型应用包括USB 2.0/3.0接口、HDMI接口、以太网端口、RS-485/RS-232通信线路、音频/视频输入输出端口、电源管理电路、电池供电设备以及汽车电子模块等。该器件也可用于保护微控制器、FPGA、ASIC等敏感半导体器件免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。

PESD5V0S1BA, SMAJ6.8A, ESDA6V8W5-01, ESDA6V8V5T1