电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　封装尺寸：1210（公制：3225）
　　温度系数：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　绝缘电阻：1000MΩ（最小）
　　额定纹波电流：根据具体应用条件而定

THCR40E1E475MT 具备一系列优良的电气和机械特性，使其成为许多电子设计中的理想选择。该电容器采用了X5R温度系数，这意味着它在-55°C到+85°C的温度范围内能够保持较高的电容稳定性。电容值为4.7μF，容差为±20%，这使其适用于对电容精度要求不特别苛刻的应用场景。
　　该器件的额定电压为10V，能够在中等电压条件下稳定工作，而不会出现显著的电容下降。X5R材料的使用也意味着它在电压变化下具有较好的电容保持能力，适用于电源去耦、滤波以及旁路等常见用途。
　　THCR40E1E475MT采用1210（3225）封装尺寸，适合表面贴装工艺（SMD），有助于提高PCB的组装效率并减少空间占用。其绝缘电阻最小为1000MΩ，确保了在高阻抗电路中的良好性能。
　　此外，该电容器具有良好的高频响应特性，能够有效滤除高频噪声，提升电路的整体稳定性。其结构设计也有助于降低ESR（等效串联电阻）和 ESL（等效串联电感），从而在高频应用中表现出更优异的性能。
　　在机械强度方面，该电容器具备良好的抗振动和抗冲击能力，适合在较为恶劣的环境条件下使用。其封装材料也具有一定的耐高温特性，确保在焊接和运行过程中不会出现明显的性能下降。

THCR40E1E475MT 多层陶瓷电容器广泛应用于多个电子领域。在电源管理电路中，它可以作为去耦电容，用于稳定电压并减少电源噪声。在DC-DC转换器和LDO稳压器中，该电容器可用于输入和输出滤波，提升转换效率和输出电压的稳定性。
　　在数字电路中，THCR40E1E475MT 适用于旁路电容，用于滤除高频噪声并提供稳定的局部电源。在高速数字系统中，这种电容器可以帮助减少瞬态电压波动，从而提高系统的可靠性和稳定性。
　　此外，该器件也适用于射频（RF）电路和无线通信模块，作为滤波和耦合元件。其低ESR和ESL特性使其在高频应用中表现出色，有助于减少信号损耗并提高整体性能。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，THCR40E1E475MT 可用于电源管理、信号调理和噪声抑制，帮助实现小型化和高性能的电路设计。工业控制系统和汽车电子设备中，该电容器也常用于提供稳定电容值和长期可靠性。

TDK C3225X5R1E475KT0A0N、Murata GRM32ER61C475KA12L、Samsung CL32E475KCIVNN