时间：2025/8/14 0:46:37
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LESD8D7.0CT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电压瞬变和过电压事件的损害。该器件具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性，适用于多种电子系统的保护电路。
工作电压: 7.0 V
最大反向工作电压: 7.0 V
击穿电压: 7.78 V (min), 8.6 V (max)
峰值脉冲电流 (Ipp): 13.0 A
钳位电压 (Vc): 11.2 V
响应时间: < 1 ns
封装类型: SOD-523
极性: 双向
功率耗散: 300 W
LESD8D7.0CT5G 具有出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并抑制电压尖峰，确保受保护设备的正常运行。其双向结构设计使其适用于交流和直流电路中的保护应用。该器件采用 SOD-523 小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计，同时具备高可靠性，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。
LESD8D7.0CT5G 采用了先进的硅雪崩技术，提供稳定的击穿电压和优异的钳位性能。其低漏电流特性在正常工作条件下对系统功耗的影响极小，同时在发生瞬态过电压事件时能够迅速导通，将多余的电流引导至地线，保护后续电路免受损坏。该器件还具有良好的热稳定性，能够在多次瞬态事件中保持性能不变，延长使用寿命。
此外，LESD8D7.0CT5G 的封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造，并具备优异的焊接可靠性和自动化贴装兼容性。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块、工业控制系统和消费类电子产品中，为关键电路提供可靠的保护。
LESD8D7.0CT5G 常用于保护微处理器、存储器、接口电路、电源管理单元和其他敏感电子元件。其典型应用包括 USB 接口、HDMI 端口、以太网连接器、显示屏驱动电路以及各类传感器接口的过电压保护。此外，该器件也适用于汽车电子系统、便携式充电设备和工业自动化设备中的电路保护。
SMBJ7.0CA, ESD9C7.0ST5G, NUP1310
