DRV8702DQRHBRQ1 是一款由德州仪器(TI)生产的双全桥栅极驱动器芯片,专为驱动N沟道MOSFET而设计。该器件适用于多种电机控制和功率转换应用。它具有集成的电荷泵电路,能够提供高达25V的驱动电压,支持高达4A的峰值输出电流。DRV8702DQRHBRQ1采用小型QFN封装(5mm x 5mm),非常适合空间受限的设计。
其主要功能是通过简化外部元件需求来减少整体系统复杂度,并且内置了全面的保护特性以确保在各种工作条件下的可靠性。
供电电压:4.5V 至 30V
逻辑输入电压:1.8V 至 5.5V
峰值输出电流:±4A
工作温度范围:-40°C 至 125°C
封装形式:QFN (5x5mm)
开关频率:最高可达500kHz
电荷泵输出电压:25V
待机电流:典型值1μA
关断电流:典型值10nA
DRV8702DQRHBRQ1 提供了许多增强性能和可靠性的特性:
- 内置高效电荷泵,可确保在整个负载范围内稳定运行。
- 支持PWM调制输入,便于实现精确的速度和扭矩控制。
- 具备欠压锁定(UVLO)保护功能,避免在异常电压条件下操作。
- 集成短路保护、过热关断以及过流限制功能,提升了系统的鲁棒性。
- 独立桥臂控制,允许灵活配置正向/反向或制动模式。
- 可编程死区时间调节,优化MOSFET切换效率并防止直通风险。
- 提供故障状态反馈引脚,方便实时监控设备运行状况。
- 符合汽车级标准(AEC-Q100),适合严苛环境中的应用需求。
DRV8702DQRHBRQ1 的广泛应用包括:
- 汽车电子领域中的电动座椅调节、后视镜定位、雨刷马达控制等。
- 工业自动化设备中用于直流无刷电机驱动、步进电机控制。
- 家用电器如风扇、水泵以及其他需要高效功率管理的小型电机系统。
- 电池供电产品中的节能型驱动解决方案。
- 任何涉及高侧和低侧N沟道MOSFET开关的应用场景。
DRV8702DMMRTRQ1, DRV8702DQMSTRQ1