时间：2025/8/13 20:22:36
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LESD8D5.0CKT5G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的静电放电（ESD）保护二极管阵列，专门用于保护敏感的电子设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用8引脚DFN封装，适用于高密度电路设计，提供高效的多通道ESD保护解决方案。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：5.0V
最大钳位电压：9.0V（在Ipp=1A时）
ESD击穿电压：5.5V（min）
反向漏电流：100nA（max）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：8-DFN
引脚数：8
通道数：4
最大工作电流：100mA
封装尺寸：2.5mm x 2.0mm
LESD8D5.0CKT5G ESD保护二极管阵列具有多项优异的电气和机械特性，使其适用于现代电子设备中的ESD保护需求。该器件的核心特性之一是其低钳位电压，确保在ESD事件发生时能够迅速将电压限制在安全范围内，从而保护下游电路免受损坏。此外，LESD8D5.0CKT5G具有极低的反向漏电流，确保在正常工作条件下不会对电路性能造成影响。
该器件采用4通道配置，每个通道均可独立用于保护不同的信号线或电源线路。LESD8D5.0CKT5G的响应时间极快，通常在皮秒级别，能够在ESD事件发生的瞬间立即启动保护机制。同时，该器件能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，适用于工业和消费类电子设备中对ESD保护要求较高的应用场景。
封装方面，LESD8D5.0CKT5G采用紧凑的8-DFN封装，尺寸仅为2.5mm x 2.0mm，适合在空间受限的PCB布局中使用。其小型化设计不仅节省了电路板空间，还降低了寄生电感，有助于提高高频信号的保护性能。此外，该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。
LESD8D5.0CKT5G广泛应用于需要高密度、多通道ESD保护的电子设备中。典型的应用领域包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、通信设备（如路由器、交换机、基站模块）、工业控制系统、汽车电子模块以及USB接口保护等。
在消费类电子产品中，LESD8D5.0CKT5G常用于保护数据传输线路（如I2C、SPI、UART）、电源管理接口以及传感器信号线，防止因用户接触或外部环境导致的静电放电损坏内部IC。在工业和汽车电子应用中，该器件可为CAN总线、LIN总线、RS-485接口等关键通信链路提供可靠的ESD保护。此外，由于其低电容特性，LESD8D5.0CKT5G也适用于高速信号线路的保护，确保在不影响信号完整性的前提下提供有效的ESD防护。
LESD8D5.0CV05T5G, NUP4116, ESDA6V1W5B
