时间：2025/10/10 13:49:31
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35RAPC3BVN4是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌等瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用紧凑的10引脚DFN封装，具有低电容特性，适用于高速数据线路的信号完整性保护。35RAPC3BVN4集成了多个TVS二极管，能够同时保护多条信号线，广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制设备中。
该器件的主要特点包括响应时间快、钳位电压低、可靠性高以及符合RoHS环保标准。其设计目标是在不影响正常信号传输的前提下，提供强大的瞬态过压保护能力，从而延长系统寿命并提高整体稳定性。此外，35RAPC3BVN4通过了IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性（EMC）标准认证，确保在严苛环境下的稳定运行。
类型：瞬态电压抑制二极管阵列
极性：双向
通道数：4通道
工作电压（VRWM）：3.3V
最大峰值脉冲电流（Ipp）：35A
钳位电压（Vc）：12V @ Ipp
电容值（典型）：0.3pF
封装形式：DFN-10
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
ESD耐受能力（IEC 61000-4-2）：±30kV（接触放电）
浪涌耐受能力（IEC 61000-4-5）：±10kV（线对地）
35RAPC3BVN4具备卓越的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达35A的峰值脉冲电流，并将瞬态电压钳制在安全水平以下，有效防止后端集成电路因过压而损坏。其低工作电压（3.3V）使其特别适合用于低压逻辑电路和高速数字接口，如USB、HDMI、DisplayPort和MIPI等。由于采用了先进的半导体工艺，该器件在保持高性能的同时实现了极低的结电容（典型值仅为0.3pF），最大限度地减少了对高频信号完整性的干扰，避免了信号衰减或失真问题。
该TVS阵列采用双向结构设计，支持交流和直流信号线路的双向过压保护，适用于差分对和单端信号线。其DFN-10小型化封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的热导性和机械稳定性，便于自动化贴片生产。器件内部结构经过优化，具备出色的能量吸收能力和长期可靠性，在反复遭受ESD冲击后仍能维持稳定的电气特性。此外，35RAPC3BVN4通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性测试，适用于汽车电子中的信息娱乐系统、摄像头模块和车载通信接口等应用场景。
从系统设计角度看，35RAPC3BVN4简化了电路保护方案的设计复杂度，用户无需为每条信号线单独配置保护元件，降低了物料成本和布局难度。其高集成度和标准化封装也有助于加快产品开发周期，提升整体系统的EMI/EMC表现。值得一提的是，该器件在待机状态下几乎不消耗静态电流，不会对系统功耗造成额外负担，非常适合便携式设备和电池供电系统使用。
35RAPC3BVN4广泛应用于需要高等级电磁干扰防护的高速数据接口保护场景，例如智能手机和平板电脑中的USB Type-C端口、HDMI视频输出接口以及无线通信模块的天线线路。在工业自动化领域，它可用于PLC控制器、传感器接口和现场总线通信线路的瞬态保护。此外，该器件也适用于医疗设备中对信号精度要求较高的监测仪器，防止外部静电干扰导致误操作或数据错误。
在汽车电子方面，35RAPC3BVN4可用于ADAS高级驾驶辅助系统中的雷达和摄像头信号线保护，保障行车安全。其高抗扰度特性也使其成为车载信息娱乐系统音频/视频传输链路的理想选择。在消费类电子产品中，诸如笔记本电脑、数码相机和智能家居网关等设备均可利用该器件提升产品的耐用性和用户体验。得益于其符合国际安全标准的设计，35RAPC3BVN4还可用于工业级交换机、路由器和光模块等网络通信设备中，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
