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LESD8D3.3N3T5G 发布时间 时间:2025/5/29 15:22:38 查看 阅读:10

LESD8D3.3N3T5G 是一款基于硅工艺制造的高效能 SMD 封装贴片式齐纳二极管。该器件专为高精度电压调节和保护电路设计,具有低动态电阻、高浪涌能力以及出色的稳定性和可靠性。
  其典型应用包括电源稳压、过压保护和信号电平转换等场景。此型号中的“3.3”表示额定齐纳电压为 3.3V,适合多种电子设备中对电压稳定性要求较高的场合。

参数

封装:SOD-882
  额定齐纳电压(Vz):3.3V
  最大齐纳电流(Izmax):10mA
  动态电阻(Zz):4.5Ω(典型值)
  功耗:50mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  反向漏电流(Ir):10nA(@2V)

特性

LESD8D3.3N3T5G 具备以下显著特性:
  1. 高精度齐纳电压,误差小于 ±1%。
  2. 超低动态电阻确保更佳的电压稳定性。
  3. 紧凑型 SOD-882 封装,节省 PCB 空间。
  4. 良好的热稳定性,在宽温范围内表现优异。
  5. 可承受瞬态浪涌电流,适用于恶劣环境下的电路保护。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该元器件广泛应用于各类电子产品中,主要用途如下:
  1. 开关电源和线性电源中的稳压模块。
  2. 通信设备及消费类电子产品中的过压保护。
  3. 模拟电路和数字电路中的基准电压源。
  4. 工业控制系统的信号调理与电平转换。
  5. 电池管理系统中的电压监测和保护。
  6. 各种手持设备中的小型化电路设计。

替代型号

LESD8D3.3N5T5G, BZX84-C3V3, 1N5227B

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