时间：2025/8/13 8:21:21
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LESD8BD5.0CT5G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的损害。该器件采用多层设计，具备低电容特性，适合用于高速数据线路的保护，如USB、HDMI、以太网接口等。LESD8BD5.0CT5G 采用8引脚DFN封装，尺寸小巧，适用于便携式设备和高密度电路板设计。
类型：TVS二极管阵列
工作电压：5.0V
反向断态电压（VRWM）：5.0V
钳位电压（Vc）：最大13.3V @ Ipp=7.1A
峰值脉冲电流（Ipp）：7.1A
电容（@ 1MHz）：典型值为0.65pF
封装：DFN-8
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
LESD8BD5.0CT5G 具备多项高性能特性，适用于各种电子设备的电路保护需求。
首先，该器件提供8个通道的ESD保护，每个通道均可有效吸收高达±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）的静电能量，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，确保在极端环境下设备仍能稳定运行。
其次，其低钳位电压特性确保在发生瞬态电压事件时，能够迅速将电压限制在安全范围内，从而避免对下游电路造成损害。钳位电压最大为13.3V，在额定脉冲电流7.1A下表现优异，具备出色的瞬态能量吸收能力。
该器件的输入/输出引脚具有极低的寄生电容（典型值0.65pF），使其适用于高速信号线保护，不会影响信号完整性，特别适用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort等高频接口应用。
LESD8BD5.0CT5G 采用DFN-8封装，体积小、重量轻，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。此外，该封装具备良好的热性能，能够有效散发瞬态事件中产生的热量。
器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级应用环境，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
LESD8BD5.0CT5G 主要用于需要ESD和瞬态电压保护的高速数据接口和电子系统中。典型应用包括USB 2.0/3.0接口保护、HDMI和DisplayPort接口保护、以太网端口保护、RF天线线路保护、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）以及工业控制系统中的信号线保护。由于其低电容和高速特性，该器件特别适用于对信号完整性要求较高的高频通信接口。
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