类型：单向TVS二极管
　　工作电压：6.1V
　　反向关态电压（VRWM）：5.0V
　　钳位电压（Vc）：10.3V（在Ipp=1A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　功率耗散：100W（瞬时）
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

LESD6V1W5T1G 采用先进的硅雪崩技术，能够在极短的时间内响应电压瞬变，提供高水平的电路保护。其单向结构使其特别适合用于直流电源和信号线路的保护。该器件具有低漏电流，在正常工作条件下对电路性能影响极小。此外，LESD6V1W5T1G 的SOD-523小型封装设计使其适用于空间受限的高密度电路板布局。
　　该TVS二极管具有优良的ESD保护能力，可承受高达±30kV的空气放电和±15kV的接触放电（IEC 61000-4-2 Level 4）。同时，其响应时间低于1纳秒，能够迅速将瞬态电压钳制在安全范围内，防止损坏后级电路。LESD6V1W5T1G 适用于便携式电子设备、计算机外设、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子系统等多种应用场景。

LESD6V1W5T1G 主要用于需要静电放电（ESD）保护的低压电子电路中，例如USB接口、HDMI接口、RS-485、RS-232等通信接口的保护。此外，它也广泛应用于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源和信号线路保护，以及工业控制系统和汽车电子模块的输入/输出（I/O）保护。由于其小型封装和高可靠性，LESD6V1W5T1G 也非常适合用于对空间和性能要求较高的手持设备中。

LESD5V0W5T1G, SMAJ5.0A, PESD5V0S1BA