时间：2025/8/13 2:34:30
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LESD5Z5.0T1G 是一款由ON Semiconductor生产的单向硅基瞬态电压抑制二极管（TVS），采用SOD-523封装形式。该器件主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压等瞬态电压的损害。其具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和便携式设备等领域。
类型：单向TVS二极管
工作电压：5.0 V
峰值脉冲电流（Ipp）：12.1 A（8/20μs）
最大反向工作电压（Vrwm）：5.0 V
钳位电压（Vc）：9.2 V（在Ipp下）
响应时间：1 ps（典型值）
封装形式：SOD-523
安装方式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LESD5Z5.0T1G 采用先进的硅雪崩技术，具有优异的瞬态电压抑制能力。其响应时间极快，能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应，从而有效保护下游电路。器件的钳位电压较低，有助于减少对被保护器件的应力。SOD-523封装体积小巧，适合高密度PCB布局，并且符合RoHS环保标准。该器件还具有高可靠性，能够承受多次高能量瞬态事件而不发生性能退化。
此外，LESD5Z5.0T1G 的低电容特性（通常为35 pF）使其适用于高速数据线保护，不会影响信号完整性。其单向结构设计确保在正向瞬态事件下提供最佳保护性能，同时反向漏电流极低，通常小于0.1 μA，在待机模式下对系统功耗影响极小。
LESD5Z5.0T1G 主要用于需要ESD保护的低压电子电路中，典型应用包括USB接口、HDMI接口、RS-232端口、以太网接口、GPIO引脚、键盘和触摸屏控制器等。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可有效保护敏感IC免受静电放电损害。在工业控制系统中，它可用于保护PLC模块、传感器接口和通信线路。此外，LESD5Z5.0T1G 还适用于电源管理单元和电池供电设备的保护电路中。
PESD5Z5.0U-SMD, SMAJ5.0A, ESD5Z5.0V
