时间：2025/9/10 18:26:04
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LXV63VB821M18X30LL 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率、高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高压和大电流条件下工作，具有优异的热稳定性和低导通电阻。这种MOSFET通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和各种工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：30A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：8.2mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：50nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSSO-24
安装类型：表面贴装
LXV63VB821M18X30LL 是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。该器件采用ROHM的先进沟槽栅极技术，确保了优异的导通特性和开关性能。此外，该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热管理性能，使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
其封装设计优化了散热性能，确保在高温环境下也能保持良好的工作状态。PowerSSO-24封装不仅提供了良好的电气连接，还增强了机械稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与微控制器和其他数字控制电路的接口。此外，LXV63VB821M18X30LL具有良好的抗雪崩能力和过热保护功能，增强了器件在恶劣工作环境中的可靠性。
LXV63VB821M18X30LL 常用于多种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、无刷直流电机控制器以及工业自动化设备。由于其高效率和高可靠性，这款MOSFET也广泛应用于电动汽车和储能系统中的功率管理模块。
R6030END、SiR862ADP、IPB091N06N3、FDMS86180、NTMFS4C10N
