时间：2025/8/14 1:01:27
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LESD5Z2.5T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMT）瞬态电压抑制器（TVS）二极管阵列，专门用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌和瞬态电压的影响。该器件采用小型 DFN 封装，适用于便携式电子设备和高速数据线保护应用。
类型：TVS 二极管阵列
工作电压：2.5V
反向击穿电压：Min 2.9V @ 1mA
最大反向电压：2.5V
钳位电压：Max 8.8V @ 10A
峰值脉冲电流（IPP）：10A
响应时间：<1ns
封装：DFN10
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
LESD5Z2.5T1G 具备多个关键特性，使其在电子系统保护中表现出色。
首先，其低工作电压为 2.5V，确保该器件能够在低压电路中有效运行，例如 USB、HDMI 和其他高速数据接口。这在现代低功耗设计中尤为重要，因为许多系统电压已降至 3.3V 或更低。
其次，该器件的反向击穿电压最低为 2.9V，在 1mA 测试电流下具有稳定的击穿特性，使其在受到瞬态干扰时能够快速响应并吸收多余能量。这种低击穿电压也确保了对下游电路的有效保护。
LESD5Z2.5T1G 的最大反向工作电压为 2.5V，这使其适用于 2.5V 系统的长期稳定运行，同时避免对正常工作电压造成干扰。
在瞬态响应方面，其钳位电压最高为 8.8V，且在 10A 峰值电流下仍能保持较低的钳位水平，这有助于减少对受保护 IC 的应力，提升系统可靠性。
此外，该器件具备高达 10A 的峰值脉冲电流处理能力，使其能够承受较强的瞬态事件，如 ESD 冲击或小型雷击浪涌。
响应时间小于 1ns，LESD5Z2.5T1G 可以迅速对电压瞬变做出反应，确保电路安全。这一特性对于高速数据线路的保护尤为关键，因为它可以最大限度地减少瞬态干扰对信号完整性的影响。
最后，该器件采用 DFN10 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。其无铅封装也符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。
LESD5Z2.5T1G 主要用于需要 ESD 和瞬态电压保护的低压高速接口，如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网端口、音频/视频接口、智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品。此外，它也适用于工业控制设备和通信模块中的信号线保护。
PESD5Z2.5U1M, ESD5Z2.5V, TPD4E001B04
