您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LESD5Z2.5T1G

LESD5Z2.5T1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:01:27 查看 阅读:19

LESD5Z2.5T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMT)瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列,专门用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的影响。该器件采用小型 DFN 封装,适用于便携式电子设备和高速数据线保护应用。

参数

类型:TVS 二极管阵列
  工作电压:2.5V
  反向击穿电压:Min 2.9V @ 1mA
  最大反向电压:2.5V
  钳位电压:Max 8.8V @ 10A
  峰值脉冲电流(IPP):10A
  响应时间:<1ns
  封装:DFN10
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

LESD5Z2.5T1G 具备多个关键特性,使其在电子系统保护中表现出色。
  首先,其低工作电压为 2.5V,确保该器件能够在低压电路中有效运行,例如 USB、HDMI 和其他高速数据接口。这在现代低功耗设计中尤为重要,因为许多系统电压已降至 3.3V 或更低。
  其次,该器件的反向击穿电压最低为 2.9V,在 1mA 测试电流下具有稳定的击穿特性,使其在受到瞬态干扰时能够快速响应并吸收多余能量。这种低击穿电压也确保了对下游电路的有效保护。
  LESD5Z2.5T1G 的最大反向工作电压为 2.5V,这使其适用于 2.5V 系统的长期稳定运行,同时避免对正常工作电压造成干扰。
  在瞬态响应方面,其钳位电压最高为 8.8V,且在 10A 峰值电流下仍能保持较低的钳位水平,这有助于减少对受保护 IC 的应力,提升系统可靠性。
  此外,该器件具备高达 10A 的峰值脉冲电流处理能力,使其能够承受较强的瞬态事件,如 ESD 冲击或小型雷击浪涌。
  响应时间小于 1ns,LESD5Z2.5T1G 可以迅速对电压瞬变做出反应,确保电路安全。这一特性对于高速数据线路的保护尤为关键,因为它可以最大限度地减少瞬态干扰对信号完整性的影响。
  最后,该器件采用 DFN10 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其无铅封装也符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子产品制造。

应用

LESD5Z2.5T1G 主要用于需要 ESD 和瞬态电压保护的低压高速接口,如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网端口、音频/视频接口、智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品。此外,它也适用于工业控制设备和通信模块中的信号线保护。

替代型号

PESD5Z2.5U1M, ESD5Z2.5V, TPD4E001B04

LESD5Z2.5T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价