时间：2025/7/18 19:25:19
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IPB65R280E6是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET器件，属于其OptiMOS?系列中的一员。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。IPB65R280E6封装为PG-TO220-3-1，具备良好的散热性能，适用于广泛的工作温度范围。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：13A（在Tc=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：最大280mΩ
栅极电荷（Qg）：42nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：PG-TO220-3-1
IPB65R280E6具有多个显著的技术特性，使其在功率转换应用中表现出色。首先，其导通电阻低至280mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了英飞凌的OptiMOS?技术，优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，IPB65R280E6具备较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其封装设计优化了散热性能，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了系统的可靠性和寿命。
在栅极驱动方面，IPB65R280E6的栅极电荷（Qg）仅为42nC，这意味着其驱动电路所需的能量较少，有助于降低驱动损耗并加快开关速度。同时，该器件的短路耐受能力较强，能够在极端工作条件下提供更高的安全性。此外，IPB65R280E6的雪崩能量等级较高，能够承受瞬时过压和过流情况，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
该MOSFET还具有良好的EMI（电磁干扰）性能，通过优化的内部结构设计，降低了高频开关过程中产生的电磁干扰，有助于简化系统设计并满足电磁兼容性标准。
IPB65R280E6广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在高效率和高功率密度要求较高的场合。常见的应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动系统。由于其具备良好的热稳定性和较高的短路耐受能力，该器件也适用于对可靠性要求较高的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。此外，IPB65R280E6还可以用于照明系统、家电电源管理以及智能电网相关设备。
IPB65R280E6A, IPB65R320E6
