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LESD5Z12LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 4:41:39 查看 阅读:17

LESD5Z12LT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双向静电放电(ESD)保护二极管,主要用于保护敏感电子电路免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用小型SOD-523封装,适合在空间受限的应用中使用。LESD5Z12LT1G具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性等特点,广泛应用于便携式电子设备、通信接口、USB端口和HDMI接口等场景。

参数

类型:双向ESD保护二极管
  工作电压:12V
  最大反向工作电压(VRWM):12V
  击穿电压(VBR):最小13.3V,最大14.7V
  最大钳位电压(Vc):20.3V(在Ipp = 1A条件下)
  最大峰值脉冲电流(Ipp):1A
  响应时间:小于1ns
  封装类型:SOD-523
  安装类型:表面贴装

特性

LESD5Z12LT1G具备多项优良的电气和物理特性,确保其在各种应用中提供可靠的ESD保护。
  首先,LESD5Z12LT1G是一款双向保护器件,意味着它可以在正负两个方向上对瞬态电压进行有效钳位,适用于交流信号线路或双向数据接口的保护。其最大反向工作电压为12V,适用于工作电压为12V及以下的电路系统。击穿电压范围为13.3V至14.7V,在ESD事件发生时能够迅速导通并将电压钳制在安全范围内,防止电压尖峰对后级电路造成损坏。
  其次,该器件的最大钳位电压为20.3V,在Ipp(峰值脉冲电流)为1A的条件下,能够将瞬态电压限制在较低水平,从而降低对后级元件的应力。响应时间小于1纳秒,能够在静电放电发生时迅速做出反应,实现即时保护。LESD5Z12LT1G采用了先进的硅雪崩技术,确保在高能量冲击下仍能保持稳定性能。
  此外,LESD5Z12LT1G采用SOD-523封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。该封装也具备良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化装配工艺。器件的工作温度范围宽,通常为-55°C至+150°C,适用于各种工业和消费类电子应用环境。
  LESD5Z12LT1G符合RoHS环保标准,无铅且符合REACH法规,适用于绿色电子产品设计。

应用

LESD5Z12LT1G 主要用于需要ESD保护的各种电子系统中,特别适用于便携式设备和高速接口电路的保护。该器件常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中,用于保护USB、HDMI、DisplayPort等高速数据接口免受静电放电的损害。
  在通信设备中,LESD5Z12LT1G可用于保护以太网接口、RS-485、CAN总线等通信线路,防止因静电或雷击引起的瞬态电压破坏通信模块。此外,该器件也广泛应用于传感器接口、音频线路、视频传输线路等模拟或数字信号通道,提供稳定的过压保护。
  在工业控制领域,LESD5Z12LT1G可用于保护PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机、人机界面(HMI)等设备的输入输出端口。其宽工作温度范围和高可靠性使其适合在恶劣工业环境中使用。
  汽车电子方面,该器件可用于车载信息娱乐系统、摄像头接口、CAN通信线路等应用,满足汽车行业对电子元件高可靠性和稳定性要求。

替代型号

LESD5Z12CT1G、PESD5Z12、SMBJ12CA

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