时间：2025/8/14 2:52:49
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LESD5D5.0CT1G是一款由ON Semiconductor生产的低电容ESD（静电放电）保护二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压事件的影响而设计。该器件内部集成了多个双向或单向保护二极管，能够在极短时间内（通常小于1纳秒）对静电放电做出响应，从而防止被保护设备受到损坏。LESD5D5.0CT1G广泛应用于高速数据线路、USB接口、HDMI、以太网等需要高信号完整性和高可靠性保护的场合。
类型：ESD保护二极管阵列
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大工作电压：5.0 V
钳位电压（Vc）：典型值7.5 V（在Ipp=2.7A时）
反向关态电压（VRWM）：5.0 V
峰值脉冲电流（Ipp）：2.7 A
低结电容：每线路典型值小于5 pF
保护线路数量：5通道
极性：双向保护
安装类型：表面贴装
LESD5D5.0CT1G具有多项优异的电气和物理特性，使其成为理想的ESD保护解决方案。首先，该器件的低结电容特性（通常低于5 pF）使其非常适合用于高速数据传输线路，如USB 2.0、HDMI、以太网等，确保信号完整性不受影响。其次，该器件采用了ON Semiconductor先进的硅雪崩技术，能够在极短时间内响应ESD事件，并有效地将高能量静电放电引导至地，从而保护下游电路。
此外，LESD5D5.0CT1G具备高可靠性，其封装符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。该器件的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），可适应严苛的工作环境。同时，其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于PCB布局和自动化组装。
LESD5D5.0CT1G的双向保护结构允许其在正负方向均提供有效保护，适用于交流信号线路或极性不确定的应用场景。每个通道的钳位电压较低，有助于减少对受保护器件的应力，延长系统使用寿命。
LESD5D5.0CT1G广泛应用于需要高可靠性和高速信号保护的电子设备中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备的USB接口、耳机插孔和显示屏接口保护；网络设备如路由器、交换机中的以太网端口保护；高清多媒体设备如电视、机顶盒的HDMI、DVI接口保护；以及工业控制系统、通信设备中的数据线路保护。
由于其低电容特性，LESD5D5.0CT1G特别适用于USB 2.0高速传输线路（480 Mbps），可有效防止ESD事件对数据传输质量和设备稳定性的影响。同时，该器件也可用于保护模拟音频线路、视频接口、传感器信号线等对信号完整性要求较高的应用场景。
PESD5V0S5B, NUP4201, TPD3E001, SMF05C, ESD5504, SP1010-05DT1G
