类型：单向ESD保护二极管
　　工作电压：53.3V
　　峰值脉冲电流（IPP）：5A（8/20μs）
　　钳位电压（VC）：76V @ IPP
　　反向关态电压（VRWM）：53.3V
　　漏电流（IR）：≤10nA @ VRWM
　　封装形式：SOD-523
　　安装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LESD53.3.T1G具备优异的ESD保护性能，其单向结构可有效抑制正向瞬态电压，保护电路免受损害。该器件具有快速响应时间，通常在皮秒级别，能够在静电放电事件发生的瞬间迅速动作，将电压钳制在安全范围内，从而保护下游元件。此外，其低漏电流特性确保在正常工作电压下对系统功耗的影响极小。
　　LESD53.3.T1G的峰值脉冲电流能力达到5A，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，适用于需要高可靠性和高抗静电能力的应用场景。同时，其紧凑的SOD-523封装形式适合高密度PCB布局，便于集成在空间受限的设计中。
　　该器件的耐用性和稳定性使其成为工业自动化、消费电子、汽车电子等领域中静电保护的理想选择。此外，LESD53.3.T1G还具备良好的热稳定性和抗疲劳性能，能够承受多次ESD事件而不会显著降低性能。

LESD53.3.T1G广泛应用于需要静电放电保护的电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携设备的USB接口、HDMI接口、音频接口等部位。此外，该器件也适用于通信设备中的数据线路保护、传感器接口保护、工业控制设备的输入输出端口保护，以及汽车电子中的CAN总线、LIN总线等信号线保护。LESD53.3.T1G还可用于保护高精度模拟电路、射频电路及其它对静电敏感的电子系统。

LESD53.3DT1G, P4SMA53.3A, SMAJ53.3A