类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：15 V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A
　　最大正向压降（VF）@ 1A：800 mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 15V：100 μA
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻结至环境（RθJA）：250 °C/W
　　最大结壳热阻（RθJC）：60 °C/W

PCDS105BMT150的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关能力的结合，这使得它在低电压、高效率电源系统中表现尤为出色。该器件的最大重复反向电压为15V，额定平均正向电流可达1A，在1A电流下的典型正向压降仅为800mV，显著低于传统PN结二极管，从而大幅减少导通损耗，提高系统整体能效。这种低VF特性对于电池供电设备尤其重要，有助于延长续航时间。
　　该二极管采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统的P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，开关速度极快，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这一特性使其非常适用于高频开关电源拓扑，如同步整流、DC-DC升压或降压转换器中的续流与箝位功能，有效抑制电压尖峰并提升动态响应性能。
　　SOD-123FL封装具有极小的体积（约2mm x 1.2mm x 1mm），支持高密度PCB布局，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他紧凑型消费类电子产品。尽管封装微小，但通过优化内部引线和芯片连接设计，确保了良好的散热路径和机械稳定性。此外，该器件具备出色的热稳定性，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。
　　PCDS105BMT150还具备较强的浪涌电流承受能力，峰值非重复浪涌电流可达30A，增强了其在瞬态负载或启动冲击条件下的可靠性。同时，反向漏电流控制在较低水平（典型值100μA @ 15V），即便在高温条件下也能保持较好的阻断性能。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的功率管理解决方案，满足现代电子系统对小型化、高效率和高可靠性的综合需求。

PCDS105BMT150广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率二极管的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的直流-直流转换器，用于实现电压升降压调节，例如在手机、智能手表和蓝牙耳机等设备的电源管理模块中作为同步整流或续流二极管。由于其低正向压降和快速响应特性，能够显著提升电源转换效率，减少发热，延长电池寿命。
　　该器件也常用于电源输入端的反向极性保护电路，防止因电池或外部电源接反而损坏后续电路。在此类应用中，肖特基二极管的低导通压降意味着更少的能量损失，相较于传统硅二极管更具优势。此外，在LED驱动电路中，PCDS105BMT150可用于提供回路续流路径，确保电流连续性并抑制感性元件产生的反电动势。
　　在通信设备、物联网终端节点以及嵌入式控制系统中，该二极管可用于电源轨之间的隔离与切换，防止不同电压域之间发生倒灌。其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产，适用于大规模SMT组装工艺，提升了生产效率和产品一致性。
　　其他典型应用场景还包括笔记本电脑适配器次级侧整流、USB供电路径管理、太阳能充电控制器中的防逆流二极管，以及各种低电压开关电源中的箝位和保护电路。凭借其高可靠性与环保合规性（符合RoHS和无卤素要求），PCDS105BMT150已成为众多工业、消费和通信领域设计师的首选小型肖特基二极管之一。

MBRS110T3G, PMEG1020CPA, B1100, SMS104-15