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LESD11L7.0CT5G 发布时间 时间:2025/8/13 10:59:37 查看 阅读:12

LESD11L7.0CT5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单向 ESD(静电放电)保护二极管,主要用于保护电子设备中的敏感电路免受静电放电、瞬态电压和其他电磁干扰的影响。该器件具有低电容特性,非常适合用于高速数据线路和通信接口的保护。LESD11L7.0CT5G 采用 SOD-523 封装,体积小、响应速度快,适用于多种便携式和高性能电子设备。

参数

工作电压:7.0 V
  击穿电压(Vbr min):7.78 V
  最大反向截止电压(Vrwm):7.0 V
  峰值脉冲电流(Ipp):11.4 A
  钳位电压(Vc):18.0 V
  电容值(C):1.0 pF(典型值)
  封装类型:SOD-523
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LESD11L7.0CT5G 作为一款专为高速信号线路设计的 ESD 保护器件,具备多项优异的电气和物理特性。首先,其具有非常低的结电容(典型值为 1.0 pF),这意味着它在高速信号传输过程中对信号完整性的影响极小,非常适合用于 USB、HDMI、LAN、RS485 等高速通信接口中。其次,该器件的响应时间极短,能够在纳秒级别内对静电放电或瞬态电压做出反应,从而迅速将电压钳制在安全范围内,保护后端电路不受损坏。此外,LESD11L7.0CT5G 的最大反向截止电压为 7.0 V,击穿电压最小为 7.78 V,确保在正常工作电压下不会发生误触发,同时在高压冲击下能有效导通泄放电流。其峰值脉冲电流能力可达 11.4 A,钳位电压为 18.0 V,表明其具备良好的瞬态能量吸收能力,能够承受较强的静电放电冲击而不损坏。LESD11L7.0CT5G 采用 SOD-523 小型封装,节省空间,便于在高密度 PCB 设计中使用。同时,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种工业和汽车电子应用环境。

应用

LESD11L7.0CT5G 广泛应用于需要对高速信号线路进行 ESD 保护的电子系统中。常见的应用场景包括个人计算机、笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的 USB 接口、HDMI 接口等高速数据端口的静电保护。在网络通信设备中,该器件可用于以太网接口、LAN、WAN 接口以及光模块中的信号线保护。此外,在工业自动化控制系统中,LESD11L7.0CT5G 也可用于 RS485、RS232 等串行通信接口,防止静电和瞬态电压对控制系统造成干扰或损坏。汽车电子领域也是其重要应用之一,如车载娱乐系统、导航系统、车载摄像头和传感器接口等,这些系统对信号完整性和可靠性要求极高,LESD11L7.0CT5G 的低电容和快速响应特性能够有效保障系统的稳定运行。在可穿戴设备和物联网设备中,LESD11L7.0CT5G 同样发挥着关键作用,保护微处理器、FPGA、传感器等高集成度芯片免受静电冲击,提高设备的使用寿命和可靠性。

替代型号

LESD11L7.0CT5G 可以被 PESD11L7.0U2X、LESD11L7.0CV5 和 SMAJ7.0CA 替代,但需根据具体应用需求进行评估。

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