AO-03是一款基于CMOS工艺的小信号N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适合用作开关或放大元件。AO-03封装小巧,适用于空间受限的应用场景。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±12V
持续漏极电流:1.4A
导通电阻:0.09Ω
功耗:0.5W
结温范围:-55℃至150℃
AO-03的导通电阻较低,能够有效减少功率损耗,提高效率。
其具备快速开关能力,非常适合高频应用环境。
同时,该器件的静态和动态参数均经过优化,保证了稳定的工作性能。
小尺寸封装使得AO-03在便携式设备及高密度设计中占据优势。
AO-03常用于消费类电子产品中的负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器以及电池保护电路。
此外,它也适用于电机驱动、信号调理以及其他需要高性能MOSFET的场合。
AO3400
IRLML6401
FDD8877