电容：100nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805（2012 公制）
　　电介质材料：Barium Titanate-based (Class II)
　　直流电阻（DCR）：典型值低于 10mΩ
　　自谐振频率（SRF）：约 20MHz（取决于 PCB 布局）
　　ESR（等效串联电阻）：低，典型值在 10~30mΩ 范围内
　　绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F
　　老化率：≤ 2.5% / decade hour
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器（MLCC）
　　端接形式：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni/Sn），兼容无铅焊接
　　磁性：非磁性
　　符合标准：IEC 60384-8/21，RoHS 合规
　　生产工艺：高温共烧陶瓷（HTCC）工艺
　　包装形式：卷带编带，适用于自动贴片机
　　电容保持性：在额定电压下施加 1kHz 交流信号时，电容值保持稳定
　　耐湿性：符合 IEC 60068-2-30 标准规定的交变湿热测试要求

B32521C6104K 采用先进的多层陶瓷制造工艺，具有出色的电性能稳定性和长期可靠性。其核心电介质材料为 X7R 类型的钛酸钡基陶瓷，属于 II 类电介质，能够在宽温度范围内保持电容值的相对稳定。在 -55°C 到 +125°C 的工作区间内，电容的变化幅度控制在 ±15% 以内，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，例如精密电源滤波和模拟信号调理电路。相比 Y5V 等其他 II 类介质，X7R 在温度稳定性方面表现更优，同时仍能提供较高的体积效率，即在小尺寸封装中实现较大的电容值。
　　该器件的 0805 封装（2.0 × 1.25 × 1.25 mm）在空间受限的设计中提供了良好的平衡，既保证了足够的机械强度，又便于自动化贴装。其镍锡端电极设计确保了良好的可焊性和抗迁移能力，尤其在回流焊过程中表现出优异的润湿性能和连接可靠性。此外，该电容器具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升其在高频去耦应用中的性能表现，有效抑制电源噪声并增强系统的电磁兼容性（EMC）。
　　B32521C6104K 还具备较强的耐电压能力和良好的绝缘特性，即使在接近额定电压的工作条件下也能维持较长的使用寿命。其绝缘电阻通常大于 1000 MΩ，并遵循 R×C ≥ 500 Ω·F 的行业标准，确保漏电流极低，适用于高阻抗电路和低功耗系统。在实际应用中，该电容常被用作开关电源输出端的滤波元件或 IC 电源引脚的本地去耦电容，能够快速响应瞬态电流需求，稳定供电电压。同时，由于其非磁性结构，不会干扰周边敏感元器件，适用于高密度布局的 PCB 设计。

B32521C6104K 广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要稳定电容值和中等电压耐受能力的场合。常见应用包括各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和低压线性稳压器（LDO）的输入输出滤波电路，用于平滑电压波动并减少纹波噪声。在数字电路中，它常作为微处理器、FPGA 和 ASIC 等高速芯片的电源去耦电容，布置在靠近电源引脚的位置，以提供瞬态电流支持并降低电源阻抗。此外，在模拟前端（AFE）和信号链路中，该电容可用于交流耦合、级间滤波和参考电压旁路，确保信号完整性。通信设备中的射频模块、基站单元和网络接口卡也广泛使用此类 MLCC 进行噪声抑制和阻抗匹配。工业控制系统、汽车电子模块（非动力总成类）、医疗仪器和消费类电子产品（如智能手机、平板电脑和智能家居设备）同样是其主要应用场景。得益于其 RoHS 合规性和无铅端接设计，B32521C6104K 完全适用于现代环保电子产品的大规模生产流程。

C0805X7R1H104K