工作电压: 3.3V
　　钳位电压: 最大 10.5V（在 Ipp = 1A 时）
　　峰值脉冲电流 (Ipp): 1A（8/20μs 波形）
　　反向关态电压 (VRWM): 3.3V
　　最大反向漏电流: 0.1μA（典型值）
　　结电容 (Cj): 典型值 10pF
　　封装形式: SOT-23-5
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C

LESD11L3.3CT5G 的核心特性之一是其极低的结电容，典型值仅为10pF，这使其非常适用于高速信号线路的ESD保护。由于电容低，该器件在高频传输中对信号完整性的影响极小，因此广泛应用于现代通信接口保护。该器件的双向保护结构可同时保护正负方向的瞬态电压，增强了电路的可靠性。
　　此外，LESD11L3.3CT5G 具有快速响应时间，能够在纳秒级内对ESD事件做出反应，将瞬态电压钳制在一个安全的范围内，防止后端电路受到损坏。该器件能够承受高达1A的峰值脉冲电流（8/20μs波形），符合IEC 61000-4-2标准的四级ESD保护要求，确保在恶劣环境中仍能提供稳定的保护性能。
　　LESD11L3.3CT5G 采用SOT-23-5小型封装，占用PCB空间小，适合高密度电路设计。其低漏电流特性（典型值0.1μA）也确保了在正常工作状态下对系统功耗的影响极小。这些特点使得LESD11L3.3CT5G 成为便携式电子产品、工业控制系统、消费类电子设备以及通信设备中理想的ESD保护解决方案。

LESD11L3.3CT5G 主要应用于需要高速数据线路保护的场合，如USB 2.0/3.0接口、HDMI、以太网（LAN）端口、RS-485/RS-232通信接口、笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的I/O接口保护。此外，该器件还可用于保护工业自动化设备、测试仪器和嵌入式系统的信号线路，防止静电放电和瞬态电压造成的损坏。
　　由于其低电容特性，LESD11L3.3CT5G 特别适用于需要保持信号完整性的高速传输环境。例如，在USB接口中，它能够有效抑制静电放电干扰而不影响数据传输速率；在HDMI接口中，它可以保护高清视频信号线路免受外界电压冲击；在以太网接口中，LESD11L3.3CT5G 可防止雷击或静电引起的瞬态电压损坏网络芯片。
　　在便携式电子设备中，LESD11L3.3CT5G 能够有效延长设备的使用寿命，提高产品可靠性。由于其小型SOT-23封装，该器件非常适合在空间受限的设计中使用，如智能手机和穿戴设备中的音频接口、充电端口等关键位置的ESD保护。

LESD11L3.3CT5G 可以被 NXP 的型号 PESD3V3S1BA 或 STMicroelectronics 的 ESDA6V1W5B5 作为替代。这些型号在主要参数如工作电压、钳位电压、电容值和封装形式上相近，适合用于类似的应用场景。