LEM2520TR10K 时间：2025/12/27 9:44:12 阅读：16

LEM2520TR10K是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，适用于小尺寸、高效率的电源管理与开关应用。该器件设计用于在低电压、中等电流条件下实现高效能开关操作，广泛应用于便携式电子设备、电源转换模块、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。LEM2520TR10K具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。其最大漏源电压（VDS）为20V，最大连续漏极电流（ID）可达2.5A，适合在空间受限但对性能有要求的应用中替代传统晶体管或继电器。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，支持高频工作模式，能够满足现代电子设备对小型化和节能的需求。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于绿色电子产品制造。

参数

型号：LEM2520TR10K
　　制造商：LRC（乐山无线电）
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：2.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：10A
　　导通电阻 RDS(on)：30mΩ @ VGS=10V
　　RDS(on) 测试条件：VGS=10V, ID=1.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）：8nC @ VGS=10V
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

LEM2520TR10K具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高开关速度的结合。该器件在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为30mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于电池供电设备中需要长时间运行且发热控制严格的场合。低RDS(on)也有助于减少散热设计复杂度，允许在紧凑PCB布局中使用而不会导致过热问题。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动信号，适用于微控制器直接驱动的应用场景，如智能传感器、物联网节点和可穿戴设备中的电源开关控制。同时，其输入电容仅为450pF，配合8nC的栅极电荷，确保了快速的开关响应时间，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统效率，尤其适合高频DC-DC变换器和同步整流电路。
　　在可靠性方面，LEM2520TR10K采用了先进的沟槽工艺技术，提升了载流能力和抗雪崩能力。器件的最大工作结温可达+150°C，具备良好的热保护特性，在高温环境下仍能保持稳定工作。SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还具备较好的散热性能，适合高密度组装。此外，该器件通过了严格的质量认证，具有高可靠性和长寿命，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种严苛环境下的应用需求。

应用

LEM2520TR10K广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其适合对空间和效率要求较高的便携式设备。常见应用包括移动电源、智能手机和平板电脑中的负载开关与电源管理模块，用于控制不同功能单元的供电通断，实现节能待机与快速唤醒功能。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性提升转换效率，减少发热，延长电池续航时间。此外，在LED驱动电路中，它可用于恒流调节或开关控制，确保亮度稳定并防止过流损坏。
　　该器件也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为低边开关提供精确的电流控制。在嵌入式系统中，LEM2520TR10K可用于实现热插拔保护、过流保护和电源多路复用等功能，提升系统的安全性和稳定性。
　　由于其良好的兼容性和稳定性，该MOSFET也被广泛用于工业传感器、智能家居设备、无线通信模块和USB充电管理电路中，是现代低电压、高效率电源设计中的关键元件之一。