时间：2025/6/26 14:43:12
阅读：2
ULTVSQ5VCES04SAGP 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，采用超小型 SMD 封装设计。该器件专为高频开关应用而优化，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电源适配器以及无线充电等高效率需求场景。
该器件由知名半导体厂商生产，主要面向消费电子和工业应用领域，提供卓越的性能和可靠性。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
封装：SMD
最大漏源电压 (Vds)：100V
连续漏极电流 (Id)：4A
导通电阻 (Rds(on))：6.5mΩ
栅极电荷 (Qg)：20nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
功率耗散：20W
ULTVSQ5VCES04SAGP 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 提供更高的效率和更低的功耗。
2. 快速开关速度和较低的栅极电荷，使其非常适合高频应用。
3. 氮化镓技术确保了更小的尺寸和更高的热稳定性。
4. 高度可靠的封装设计，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
5. 支持高达 100V 的漏源电压，能够适应多种电路需求。
6. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适用于各种环境条件下的应用。
该功率晶体管广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. USB-PD 充电器和电源适配器。
3. 无线充电模块。
4. 消费类电子产品的电源管理。
5. 工业级开关电源 (SMPS)。
6. LED 照明驱动电路。
7. 各种需要高频、高效功率转换的应用场景。
ULTVSQ5VCES04SAFP
ULTVSQ5VCES08SAGP
ULTVSQ5VCES10SAGP
