类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-123FL
　　平均整流电流：2A
　　峰值重复反向电压：100V
　　正向压降：0.875V（典型值，@ IF = 2A）
　　非重复峰值正向浪涌电流：60A（@ 8.3ms 半正弦波）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间：≤ 30ns
　　漏电流：≤ 100μA（@ VR = 100V, TA = 25°C）

LEM2520TR10J的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电功能，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降。在2A的正向电流下，其典型正向压降仅为0.875V，这意味着在相同负载条件下，器件本身的功率损耗更低，有助于提高电源系统的转换效率。特别是在DC-DC降压或升压转换器中，低VF特性可以有效减少热量产生，降低对散热设计的要求，从而支持更轻薄化的产品设计。此外，由于没有少子存储效应，肖特基二极管天然具备极快的开关速度，LEM2520TR10J的反向恢复时间不超过30ns，几乎不存在反向恢复电荷，避免了高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　该器件的SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装封装，尺寸约为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm，体积小巧但具备良好的热性能和机械稳定性。相比传统SOD-123封装，SOD-123FL具有更短的引脚内间距和优化的散热路径，能够更有效地将芯片产生的热量传导至PCB焊盘上，从而提升功率密度和长期运行的可靠性。这一特点使其非常适合应用于高密度组装的主板、移动电源模块、LED驱动电源等空间受限的场景。
　　LEM2520TR10J具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境条件下稳定工作，满足工业级应用需求。同时，其高达60A的非重复浪涌电流耐受能力意味着它可以在输入端出现瞬时电压冲击或启动浪涌时保持安全运行，增强了整个电源系统的鲁棒性。此外，器件的反向漏电流控制在100μA以内（在100V反向电压和25°C条件下），虽然随着温度升高会有所增加，但在同类产品中仍处于较低水平，确保了在待机或轻载状态下的低静态功耗。综合这些特性，LEM2520TR10J不仅适用于常规整流任务，还能胜任高频开关电源、续流二极管、极性保护和反向隔离等多种角色，展现出极强的通用性和适应性。

LEM2520TR10J广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流的辅助二极管或主开关管的续流二极管，尤其是在Buck、Boost和Flyback拓扑结构中发挥关键作用，帮助实现高效率的能量转换。在AC-DC适配器和充电器中，该器件可用于次级侧整流环节，替代传统快恢复二极管以降低功耗并提升整体能效等级。由于其快速响应能力和低导通损耗，也常见于电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源和太阳能逆变器中的防反接和能量回馈回路。
　　在消费类电子产品领域，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其外围设备中，LEM2520TR10J因其小尺寸封装和高可靠性，广泛用于内部电源模块和电压调节单元，支持多路供电架构下的局部整流需求。此外，在LED照明驱动电源中，该二极管可用于恒流源电路中的续流路径，防止电感反电动势损坏控制芯片，同时减少能量浪费，延长灯具使用寿命。
　　工业控制设备如PLC控制器、传感器模块、电机驱动板等也大量使用此类高性能肖特基二极管，用于电源去耦、信号隔离和瞬态抑制等功能。在通信设备中，例如路由器、交换机和基站电源模块，LEM2520TR10J可作为中间级整流器件，保障供电稳定性和信号完整性。另外，由于其符合RoHS和无卤要求，满足国际环保法规，因此适用于出口型电子产品和绿色能源项目。总体而言，该器件凭借其优异的综合性能，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

SR2100