LEDZ8.2BT1G 是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。该器件具有8.2V的齐纳电压,适用于各种电子设备中的基准电压源或过压保护应用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):8.2V
最大齐纳电流(Izmax):30mA
功率耗散(Ptot):500mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOD-123
极性:单向
引线形式:表面贴装
最大反向漏电流(Ir):100nA @ Vr = 5.0V
齐纳阻抗(Zzt):100Ω @ Iz = 10mA
LEDZ8.2BT1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性,能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压。该器件的封装形式为SOD-123,适用于表面贴装工艺,节省空间且便于自动化生产。其500mW的功率耗散能力使其能够在中等功率应用中可靠工作。
此外,该齐纳二极管具有较低的动态电阻,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。其反向漏电流极低,在高温下仍能保持良好的性能,适合用于高精度电压参考和保护电路。
LEDZ8.2BT1G的结构设计使其在正向和反向工作时都具有良好的热稳定性和机械强度,能够在各种恶劣环境中长期稳定运行。
LEDZ8.2BT1G 主要用于电源管理电路中的电压调节和稳压功能,例如在DC-DC转换器、LDO稳压器和电池充电器中作为参考电压源。此外,它还可用于信号处理电路中的限幅和钳位功能,以及作为保护电路中的过压保护元件。
在工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域,LEDZ8.2BT1G都能提供可靠的电压基准和保护功能。例如,在传感器电路中,它可以作为参考电压源以提高测量精度;在电源适配器中,它可以用于过压保护以防止设备损坏;在LED驱动电路中,它可以作为稳压元件以确保LED的稳定工作。
MMZ8.2V-13-F, BZT52-B8V2, MMSZ5237B-TP