时间：2025/8/13 23:45:30
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LEDZ18BT1G 是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用SOD-123表面贴装封装，适用于需要稳定电压的电路设计，例如在电源管理、电压检测和过压保护电路中。齐纳二极管是一种特殊的二极管，当其处于反向击穿区域时，能够保持一个相对稳定的电压，从而提供基准电压或实现限压功能。LEDZ18BT1G的齐纳电压为18V，具有低动态电阻和快速响应时间的特点，适合在高精度和高稳定性的电子系统中使用。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOD-123
齐纳电压（Vz）：18V
最大齐纳电流（Iz max）：200mA
最大耗散功率（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
最大反向漏电流（Ir）：@ VR=16V 时 ≤ 100nA
动态电阻（Zzt）：@ Iz=10mA 时 ≤ 40Ω
齐纳电压公差：±5%
LEDZ18BT1G具备多项优异的电气和物理特性，使其在各种电子电路中具有广泛的应用价值。首先，其齐纳电压为18V，具有较高的电压稳定性，能够在输入电压波动时提供可靠的电压基准。其次，该器件的动态电阻较低，通常在40Ω以下，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。此外，LEDZ18BT1G的最大齐纳电流可达200mA，具备良好的功率处理能力，适用于需要较高电流的稳压应用。
该齐纳二极管采用SOD-123封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，LEDZ18BT1G的反向漏电流非常低，在16V反向电压下不超过100nA，有助于减少电路中的静态功耗。
在响应时间方面，LEDZ18BT1G具有快速的响应能力，能够在电压突变时迅速进入击穿状态，提供有效的电压钳位保护。其封装材料符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造的环保要求。
LEDZ18BT1G广泛应用于需要电压参考和电压调节的电子系统中。在电源管理电路中，它可以作为基准电压源，用于稳压器、DC-DC转换器和电池充电器的反馈回路中，确保输出电压的稳定性。在电压检测电路中，LEDZ18BT1G可用于比较器的参考电压输入，实现过压或欠压检测功能。
此外，该器件也常用于过压保护电路中，作为电压钳位元件，防止瞬态电压对后续电路造成损害。例如，在通信接口电路中，LEDZ18BT1G可用于保护RS-232、RS-485或CAN总线接口免受静电放电（ESD）和电感负载引起的电压尖峰影响。
在工业控制和汽车电子系统中，LEDZ18BT1G可用于传感器信号调理电路中的电压参考，提高测量精度。其高稳定性和宽工作温度范围也使其适用于户外设备、电源适配器以及智能电表等产品。
PZM18B1B、BZX84C18LT1G、MMBZ5248BTA
