LEBP1MQ 时间：2025/12/28 7:05:58 阅读：7

LEBP1MQ 是一款由 Littelfuse 公司推出的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护高速数据线路和敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用微型封装，适用于对空间要求极为严格的应用场景，例如便携式消费类电子产品、通信设备接口和工业控制系统。LEBP1MQ 属于多通道 ESD 保护器件，内部集成了多个高性能 TVS 二极管，能够在极短时间内响应瞬态过压脉冲，并将其钳位至安全电压水平，从而有效防止下游电路受损。其低电容特性确保了在高频信号传输过程中不会引入明显的信号失真或衰减，因此非常适合用于 USB、HDMI、DisplayPort、LAN 和其他高速差分信号线路的保护。此外，该器件具有优异的可靠性，在多次 ESD 冲击后仍能保持性能稳定，符合国际电磁兼容性（EMC）标准，如 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 的严格要求。

参数

器件类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：5.5V
　　击穿电压（VBR）：最小6.2V，典型6.8V
　　最大箝位电压（VC）：13.5V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A（8/20μs波形）
　　电容值（C）：每引脚典型值为0.4pF
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　ESD 耐受能力：±15kV（接触放电），符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准
　　封装形式：MicroArray? 6-Pin DFN
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

LEBP1MQ 的核心优势在于其超低电容与高效瞬态抑制能力的结合，使其成为高速数据接口防护的理想选择。每个通道的典型电容仅为 0.4pF，显著低于传统 ESD 保护器件，这意味着它几乎不会对 GHz 级别的信号完整性造成影响，特别适合应用于现代高带宽通信协议，如 USB 3.0、HDMI 2.0 和 Thunderbolt 等。这种极低的寄生电容有助于减少信号反射、串扰和延迟，从而保证数据传输的稳定性与准确性。
　　该器件采用先进的硅基工艺制造，具备极快的响应时间（通常小于 1ns），可在 ESD 事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，避免高压传递到敏感 IC。其双极性设计支持双向瞬态电压抑制，能够有效处理正负极性的瞬态干扰，适用于交流耦合或差分信号线路。此外，LEBP1MQ 的箝位电压较低，在 10A 浪涌电流下仍能将电压限制在 13.5V 以内，大幅降低了被保护芯片承受的应力，提升了系统整体可靠性。
　　MicroArray? DFN 封装不仅体积小巧（典型尺寸约为 1.0mm x 1.5mm x 0.55mm），还具备良好的热性能和机械稳定性，便于在高密度 PCB 布局中使用。该封装无引脚外露，减少了寄生电感，进一步增强了高频下的保护性能。器件符合 RoHS 指令和无卤素要求，适合绿色环保生产流程。LEBP1MQ 经过严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环和多次 ESD 冲击试验，确保在恶劣环境条件下长期稳定运行。

应用

LEBP1MQ 广泛应用于需要高等级 ESD 防护的高速信号接口电路中。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的 USB Type-C 接口、音频插孔、SIM 卡槽、摄像头模块连接器等。由于这些设备频繁与人体接触，极易受到静电放电的影响，因此必须配备高效的 ESD 保护方案以延长产品寿命并提升用户体验。
　　在通信领域，该器件可用于以太网端口（如 10/100M LAN）、无线模块天线馈线、蓝牙和 Wi-Fi 射频线路的前端保护。工业自动化系统中的人机界面（HMI）、传感器接口和现场总线通信节点也可受益于其紧凑设计和高抗扰度特性。此外，LEBP1MQ 还适用于医疗电子设备、汽车信息娱乐系统以及智能家居控制面板中的敏感信号线路防护。
　　得益于其符合 IEC 61000-4-2 Level 4 认证的能力，LEBP1MQ 可满足严苛的电磁兼容性法规要求，帮助终端产品顺利通过 EMC 认证测试。其低电容、小封装和高可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的电路保护元件，尤其适用于追求轻薄化、高性能和高可靠性的高端电子产品平台。