类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：2通道
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：6.0V（最大值）
　　钳位电压（VC）：12.0V（典型值，IPP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Cj）：15pF（典型值，f=1MHz）
　　漏电流（IR）：1μA（最大值，VRWM下）
　　封装类型：SOT-23-6L
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2，接触放电）

LE82P35具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电冲击，有效防止因人体接触或设备操作过程中产生的静电对下游集成电路造成损坏。其核心结构采用双极性TVS二极管设计，支持双向过压保护，适用于交流耦合或差分信号线路的应用场景。器件内部优化了结电容设计，典型值仅为15pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入信号衰减或失真，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、RS-485、CAN总线等高速接口的防护电路中。
　　该器件在正常工作条件下呈现高阻抗状态，漏电流极低（最大1μA），不会对系统的静态功耗产生显著影响。当检测到超过其反向截止电压（VRWM=5.0V）的瞬态过压时，TVS二极管迅速进入雪崩击穿状态，将多余能量引导至地线，从而将线路电压钳制在安全范围内（典型钳位电压为12V）。这种快速响应机制结合其高达1A的峰值脉冲电流承受能力，使其能够在恶劣电磁环境中稳定运行。
　　LE82P35采用SOT-23-6L小尺寸封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，有助于在多次瞬态事件后快速散热，延长器件使用寿命。此外，该产品通过了IEC 61000-4-2 Level 4、IEC 61000-4-4以及AEC-Q101等关键可靠性认证，确保其在工业级和汽车级应用中的长期稳定性与可靠性。

LE82P35常用于各类需要高可靠性ESD保护的电子系统中，尤其是在高速数据通信接口的防护设计中表现出色。典型应用包括USB端口的电源线与数据线保护，特别是在USB OTG或移动设备充电接口中，可有效抵御用户插拔过程中产生的静电冲击。此外，它也广泛应用于HDMI、DisplayPort等视频接口的差分信号线保护，避免因连接器带电插拔导致的IC损坏。
　　在工业自动化领域，LE82P35可用于RS-485、CAN、I2C、SPI等通信总线的信号线保护，提升系统在复杂电磁环境下的抗干扰能力。其低电容特性保证了信号完整性，不会影响通信速率和时序精度。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表等也普遍采用此类器件来增强整机的ESD鲁棒性。
　　由于其符合AEC-Q101车规标准，LE82P35还可应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口、车载USB充电模块等汽车电子场合，提供可靠的瞬态电压防护。此外，在医疗设备、测试仪器和便携式终端设备中，该器件也能有效提高产品的环境适应性和使用寿命。

SP1205-04UTG