时间：2025/6/4 2:16:03
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LE80ABD是一种高性能的低噪声放大器（LNA）芯片，广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高增益、低功耗和宽工作电压范围的特点。它能够在高频段下提供卓越的信号放大能力，同时保持较低的噪声系数，非常适合用于无线通信设备、卫星接收器以及其他射频应用。
LE80ABD设计紧凑，集成了多种功能模块，从而减少了外部元件的需求并简化了电路设计。此外，该芯片支持表面贴装技术（SMT），便于大规模生产。
增益：18dB
噪声系数：1.2dB
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
工作频率范围：800MHz 至 2.7GHz
供电电压：1.8V 至 3.6V
工作电流：35mA
封装形式：SOT-89
LE80ABD的主要特性包括：
1. 高增益和低噪声系数，在高频段表现尤为突出。
2. 宽泛的工作电压范围（1.8V至3.6V），适应不同电源环境。
3. 小型化设计，使用标准SOT-89封装，节省PCB空间。
4. 内置偏置电路，简化外部电路设计。
5. 具有良好的线性度，减少信号失真。
6. 低功耗特性，适合电池供电设备。
LE80ABD适用于以下领域：
1. GSM/WCDMA/LTE等移动通信系统的前端模块。
2. 卫星通信和导航设备中的射频信号放大。
3. Wi-Fi路由器及物联网设备的射频增强。
4. 工业自动化与医疗电子中的无线数据传输模块。
5. 短距离无线通信装置如蓝牙、Zigbee等。
LE80ACD, LE90ABD
