时间：2025/12/27 2:40:15
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LE550I是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据线路和敏感电子元件提供静电放电（ESD）及瞬态过电压保护。该器件采用先进的半导体工艺制造，适用于多种需要高可靠性保护的消费类电子产品和通信设备。LE550I特别设计用于保护接口电路免受IEC 61000-4-2规定的严苛ESD事件影响，同时保持信号完整性不受干扰，适合高速信号传输应用。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计，并且具备低电容特性，确保对高频信号的影响最小化。该器件广泛应用于便携式设备、计算机外设以及工业控制系统中，以提升系统在恶劣电磁环境下的稳定性和耐用性。通过将多个TVS二极管集成在一个小型封装内，LE550I实现了高效的空间利用和简化的PCB布局设计。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于无铅焊接工艺。LE550I的工作温度范围较宽，能够在工业级温度环境下稳定运行，增强了其在各种应用场景中的适应能力。
类型：TVS二极管阵列
通道数：5通道
工作电压（VRWM）：5.0V
击穿电压（VBR）：最大6.7V
钳位电压（VC）：10V（在IPP=1A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1A（单通道）
响应时间：小于1ns
电容值（典型）：0.8pF（f=1MHz）
封装形式：SOT-363（SC-88）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ESD耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电，符合IEC 61000-4-2 Level 4）
反向漏电流（IR）：小于1μA（在VRWM下）
LE550I具备卓越的静电放电防护能力，能够有效吸收并泄放高达±15kV的空气放电和±8kV接触放电的瞬态能量，完全满足IEC 61000-4-2国际标准中最高等级Level 4的要求。这使得它成为连接器、按键、USB端口等易受外部ESD冲击部位的理想选择。其内部结构由五个独立的双向TVS二极管组成，每个通道均可独立响应正负方向的瞬态电压，从而实现全方位保护。由于采用了先进的硅基PN结技术，该器件具有极低的动态电阻和快速响应时间，可在纳秒级别内启动保护机制，防止瞬态电压传递至后级敏感IC。这种快速响应特性对于现代高速数字电路尤为重要，例如I2C、SPI、GPIO等低电压逻辑接口，避免因延迟而导致器件损坏。
另一个显著特点是其超低电容设计，典型值仅为0.8pF，在高频信号路径中引入的寄生效应极小，不会引起明显的信号失真或衰减。这对于维持高速数据通信的完整性和时序精度至关重要，尤其是在GHz级别的信号传输环境中。同时，LE550I的低漏电流特性（小于1μA）保证了在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。其SOT-363小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提高了制造效率。整体热稳定性优异，能在-55°C到+150°C的宽温范围内保持性能一致性，适用于严苛工业环境。此外，器件具备良好的多次浪涌承受能力，即使经历多次ESD事件也不会发生性能退化，确保长期使用的可靠性。
LE550I广泛应用于各类需要高性能ESD保护的电子系统中。常见用途包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的按钮、触摸屏接口、耳机插孔及USB数据线保护。在计算机外围设备如键盘、鼠标和存储卡读卡器中，该器件可防止用户操作过程中产生的静电对主控芯片造成损害。工业控制领域中，用于PLC输入输出模块、传感器接口和HMI面板的数据线保护，提高设备在复杂电磁环境下的抗干扰能力。通信设备如路由器、交换机和基站中的低速控制信号线也常采用LE550I进行瞬态抑制。此外，汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统的按钮和接口，也可使用该器件提供辅助性ESD防护。医疗电子设备中对信号精度要求高的传感器前端，LE550I因其低电容和低泄漏特性也被广泛应用。总之，任何存在人体接触可能并搭载高速低电压电路的应用场景，都是LE550I的适用范围。
RCLAMP0504P
SP1205
SMBJ5.0A
