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CDR33BP112BKZMAT 发布时间 时间:2025/7/4 19:08:49 查看 阅读:5

CDR33BP112BKZMAT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,适用于高频开关应用。该器件采用先进的封装技术,提供卓越的热性能和电气特性。它通常用于电源管理、DC-DC转换器、通信基础设施以及工业控制等领域。
  这款 GaN 器件通过优化设计,可以实现更高的工作频率和更低的导通电阻,从而减少能量损耗并提升系统效率。

参数

类型:增强型场效应晶体管 (e-mode)
  导通电阻 (Rds(on)):8 mΩ
  击穿电压 (Vds):600 V
  栅极阈值电压 (Vgs(th)):1.5 V
  最大漏极电流 (Id):40 A
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

CDR33BP112BKZMAT 提供了出色的开关性能和低导通电阻,使其非常适合高频和高功率的应用场景。其主要特性包括:
  1. 高效率运行,能够显著降低开关损耗。
  2. 支持高达600V的工作电压,适合多种高压应用环境。
  3. 超低导通电阻,减少传导损耗。
  4. 快速开关速度,有助于减小电磁干扰(EMI)。
  5. 优异的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  6. 封装具有良好的散热能力,支持更高功率密度的设计。

应用

CDR33BP112BKZMAT 广泛应用于以下领域:
  1. 电信和服务器电源中的 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和逆变器。
  3. 高频软开关拓扑结构,例如 LLC 和相移全桥。
  4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
  5. 快速充电适配器和其他消费类电子设备的高效电源解决方案。

替代型号

CDR33BP112BKMAT, CDR33AP112BKZMAT

CDR33BP112BKZMAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1100 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率M(1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-