时间：2025/7/4 19:08:49
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CDR33BP112BKZMAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的热性能和电气特性。它通常用于电源管理、DC-DC转换器、通信基础设施以及工业控制等领域。
这款 GaN 器件通过优化设计，可以实现更高的工作频率和更低的导通电阻，从而减少能量损耗并提升系统效率。
类型：增强型场效应晶体管 (e-mode)
导通电阻 (Rds(on))：8 mΩ
击穿电压 (Vds)：600 V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.5 V
最大漏极电流 (Id)：40 A
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
CDR33BP112BKZMAT 提供了出色的开关性能和低导通电阻，使其非常适合高频和高功率的应用场景。其主要特性包括：
1. 高效率运行，能够显著降低开关损耗。
2. 支持高达600V的工作电压，适合多种高压应用环境。
3. 超低导通电阻，减少传导损耗。
4. 快速开关速度，有助于减小电磁干扰（EMI）。
5. 优异的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
6. 封装具有良好的散热能力，支持更高功率密度的设计。
CDR33BP112BKZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 电信和服务器电源中的 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和逆变器。
3. 高频软开关拓扑结构，例如 LLC 和相移全桥。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子设备的高效电源解决方案。
CDR33BP112BKMAT, CDR33AP112BKZMAT
