型号：LE28F4001CTS-12-MPB
　　制造商：SST (Silicon Storage Technology)
　　存储容量：4 Mbit (512 KByte)
　　组织结构：262,144 x 16 bits
　　接口类型：并行（Parallel NOR Flash）
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C（工业级）
　　封装形式：TSOP-48 (12mm x 20mm)
　　读取访问时间：120 ns（最大值）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚 + 软件数据保护（DPD）
　　兼容标准：JEDEC标准兼容
　　时序模式：异步读写操作
　　待机电流：典型值10 μA
　　工作电流：读取时典型值15 mA

LE28F4001CTS-12-MPB采用了SST专有的SuperFlash技术，这项专利技术基于双注入平面对称单元结构，使得该闪存芯片在性能和可靠性方面表现出色。SuperFlash单元具有极高的耐久性，支持高达10万次的擦写周期，远高于传统NOR Flash器件的一般水平（通常为1万次左右），因此非常适合频繁更新固件或日志数据的应用场景。此外，该技术还显著降低了编程和擦除所需的电压与时间，提升了操作效率，并减少了功耗。在读取性能方面，LE28F4001CTS-12-MPB提供了120纳秒的快速访问时间，能够满足高速微处理器对实时代码执行的需求，确保系统启动迅速且运行流畅。
　　该芯片具备多重数据保护机制，包括硬件写保护引脚（WP）和软件数据锁存功能（Data Protection Disable, DPD）。当WP引脚被拉低时，可以物理阻止对特定地址区域的写入操作；而通过特定的指令序列启用DPD功能后，能有效防止因程序跑飞或电源波动导致的意外擦除或改写，极大增强了系统在复杂电磁环境下的数据安全性。此外，器件内部集成了电荷泵电路，无需外部高压编程电源即可完成擦除和编程操作，简化了电源设计，降低了系统成本。
　　LE28F4001CTS-12-MPB支持灵活的擦除模式，用户可以选择对单个扇区（4 KB大小）进行擦除，也可以执行整片擦除操作，这为固件升级和数据管理提供了极大的灵活性。其TSOP-48封装符合行业通用标准，便于自动化贴片生产和后续维修更换。同时，该器件通过了严格的工业级温度认证，在-40°C至+85°C范围内均可稳定工作，适用于户外设备、车载系统和工业自动化等严苛应用场景。尽管目前SST品牌已归属于Microchip Technology，但该型号仍可在部分分销渠道获得，并有相应的技术支持文档可供参考。

LE28F4001CTS-12-MPB因其高可靠性、快速读取能力和工业级温度适应性，被广泛应用于多个领域。在通信基础设施中，它常用于路由器、交换机和基站设备中作为Bootloader和操作系统固件的存储介质，确保设备在断电后仍能可靠启动。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中，用于保存配置参数、用户程序和运行日志，其耐用性和抗干扰能力保证了工厂环境下的长期稳定运行。
　　在汽车电子领域，LE28F4001CTS-12-MPB可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ADAS（高级驾驶辅助系统）模块中，存储启动代码和校准数据。其宽温特性和高抗振性使其能够承受车辆运行中的极端温度变化和机械冲击。此外，在医疗设备如监护仪、超声成像系统和便携式诊断工具中，该芯片用于存储关键的操作系统和测量算法，确保设备在紧急情况下也能快速响应并准确运行。
　　消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒和智能家电控制器，也常见该芯片的身影，主要用于存放主控MCU的执行代码。由于其并行接口具有较高的数据吞吐率，特别适合需要快速加载大量代码的场合。此外，在测试与测量仪器、POS终端、安防监控设备等领域，LE28F4001CTS-12-MPB同样发挥着重要作用，提供安全、持久的数据存储解决方案。随着物联网和边缘计算的发展，这类具备高可靠性的并行NOR Flash仍然在许多对实时性和稳定性要求较高的嵌入式系统中占据重要地位。

SST28SF040-120-4C-PHE-T
　　Microchip SST28SF040-120-4C-PHE-T
　　Intel E28F4001CT