时间：2025/9/20 11:17:37
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LE25FW106AMA-TLM-H 是一款由 SinoMemory（芯天下）生产的串行 NOR Flash 存储器芯片，广泛应用于需要可靠、高速代码存储和数据存储的嵌入式系统中。该器件采用标准的 SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，支持多种工作模式，包括标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI，能够有效提升数据传输速率，满足现代高性能微控制器、物联网设备、消费类电子产品及工业控制设备对快速启动和高效数据读取的需求。该型号封装形式为 WSON8（8-pin Wafer-Level Small Outline Package），具有体积小、功耗低、可靠性高等优点，适用于对空间要求严格的便携式电子设备。器件工作电压范围通常为 2.3V 至 3.6V，能够在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定运行，确保在各种复杂环境下仍具备出色的性能表现。此外，LE25FW106AMA-TLM-H 内部集成了写保护机制、状态寄存器保护功能以及高耐久性的存储单元结构，支持高达 100,000 次的编程/擦除周期，并可保持数据长达 20 年，适合长期数据保存的应用场景。
型号：LE25FW106AMA-TLM-H
类型：串行 NOR Flash
容量：106 Mbit (13.3 MB)
组织结构：131072 x 8 bit
接口类型：SPI, Dual SPI, Quad SPI
工作电压：2.3V ~ 3.6V
时钟频率：最高支持 104 MHz
封装形式：WSON8 (8-pin)
工作温度：-40°C ~ +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
写使能锁存（WEL）：支持
写保护功能：支持通过WP引脚和状态寄存器控制
擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
编程操作：按页编程（最大256字节/页）
待机电流：典型值 1 μA
快速读取时间：典型值 8 ns
可靠性：擦写次数 ≥ 100,000 次，数据保持 ≥ 20 年
LE25FW106AMA-TLM-H 具备多项先进特性，使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。首先，其支持高速 Quad I/O 操作，在实际应用中可以显著提高数据吞吐率，尤其是在执行 XIP（Execute In Place）操作时，CPU 可直接从 Flash 中执行代码而无需将程序加载到 RAM，从而节省系统资源并加快启动速度。该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，在深度掉电模式下电流可低至 0.1μA，非常适合电池供电或能量敏感型设备使用。芯片内置的状态寄存器允许用户配置写保护区域、设置输出驱动强度以及监控器件忙状态，增强了系统安全性与灵活性。
其次，该器件支持 JEDEC 标准的制造商标识和设备标识读取命令，便于主机系统进行自动识别和兼容性判断。它还具备软件和硬件双重写保护机制：通过 WP 引脚实现硬件写保护，防止意外写入或擦除；同时可通过设置状态寄存器中的 BP 位来锁定特定地址范围，进一步提升数据安全性。此外，器件支持连续读取模式和任意地址寻址，方便实现高效的文件系统管理与数据访问。所有擦除和编程操作均由内部算法自动完成，无需外部施加高压，简化了系统设计。整体上，LE25FW106AMA-TLM-H 在性能、稳定性、功耗和安全性方面达到了良好的平衡，是替代传统并行 Flash 或低速串行存储器的优选方案。
LE25FW106AMA-TLM-H 广泛应用于各类需要大容量、高速度、低功耗非易失性存储的电子系统中。常见应用场景包括物联网终端节点，如智能传感器、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）、智能家居控制器等，这些设备通常依赖 SPI 接口连接主控芯片，并要求快速启动和稳定的数据存储能力。在消费类电子产品中，如可穿戴设备、TWS 耳机、便携式医疗仪器、电子标签等，该芯片的小尺寸封装和低功耗特性极具优势。
在工业控制领域，该器件可用于 PLC 控制器、人机界面（HMI）、工业网关等设备中，用于存储固件、配置参数或日志数据，其宽温特性和高可靠性确保系统在恶劣环境中长期稳定运行。此外，在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统、行车记录仪、ADAS 模块中，该芯片也可作为代码存储介质使用。由于支持 XIP 模式，特别适用于搭载 RTOS 或裸机系统的 MCU 架构，例如基于 ARM Cortex-M 系列、RISC-V 架构的处理器平台。在人工智能边缘计算设备中，也可用于存储神经网络模型权重或初始化数据。总之，LE25FW106AMA-TLM-H 凭借其高性能与紧凑设计，已成为现代嵌入式系统中不可或缺的关键元器件之一。
W25Q128JVSIQ
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MX25L12833F
