时间：2025/6/28 20:06:59
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HM3N10MR是由海力士（Hynix）生产的一款DRAM内存芯片，属于移动设备用的低功耗DDR3L系列。该芯片主要面向智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备，提供高效的内存性能和较低的能耗。
这款芯片采用先进的制造工艺，支持高速数据传输，并具备良好的稳定性和可靠性，能够满足现代移动设备对内存的高性能需求。
类型：DDR3L
容量：4Gb
组织方式：512M x 8
电压：1.35V
速度：1600Mbps
封装形式：FBGA
引脚数：96
工作温度：-40°C ~ +85°C
HM3N10MR具有低功耗的特点，其运行电压为1.35V，相比标准的DDR3内存芯片能显著降低能耗。
该芯片的数据传输速率为1600Mbps，可以满足高清视频播放、多任务处理等对内存带宽要求较高的应用场景。
此外，它采用了先进的制造技术，具备高可靠性和稳定性，适用于各种复杂的使用环境。
HM3N10MR还支持突发长度为8或4的读写操作，进一步提升了数据传输效率。
在封装方面，该芯片使用了96球的FBGA封装，这种封装方式有助于提高散热性能和抗干扰能力。
HM3N10MR广泛应用于移动设备领域，例如智能手机和平板电脑。由于其低功耗和高性能的特点，非常适合需要长时间续航的便携式电子设备。
此外，它也可以用于其他需要高效内存管理的场景，如导航系统、可穿戴设备以及嵌入式系统。
该芯片凭借其稳定性和兼容性，成为许多移动平台的理想选择。
HM9TQ1G6AM, H9TCNNNCLMMAAR, K4B2G1646D
