类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A（@25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.65V ~ 1.1V
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-223

LDTD123EET1G 具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的 Trench 技术，提供了更高的沟道密度和更低的导通电阻，同时保持了良好的热稳定性。
　　此外，LDTD123EET1G 的栅极驱动电压范围较宽，能够在 2.5V 至 12V 的范围内稳定工作，这使其适用于多种控制电路设计，包括由低压微控制器驱动的应用。其栅极氧化层设计增强了器件的可靠性和抗静电能力。
　　在封装方面，SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备较低的热阻，有助于在高功率应用中维持较低的工作温度。
　　另外，该 MOSFET 内部寄生二极管的特性使其在反向电流保护和续流应用中表现出色，例如在电机驱动和 DC-DC 转换器中提供有效的续流路径。器件的开关速度较快，能够减少开关损耗，适用于高频开关应用。

LDTD123EET1G 主要应用于各种电源管理和开关控制场景。其常见的应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及便携式电子设备的功率控制电路。由于其低导通电阻和快速开关特性，它非常适合用于提高能效要求较高的应用，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和工业控制系统中的电源模块。
　　此外，该器件也适用于需要高效能和小型化设计的汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动器和电动工具控制电路。在消费类电子产品中，LDTD123EET1G 可用于电源适配器、无线充电器和智能家电的功率调节模块。

Si2302DS, FDN340P, AO3400A, NTD12N10L