晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

LDTC143YET1G是一款高性能NPN晶体管，具有优异的高频特性，过渡频率（fT）高达250MHz，适合用于射频放大器和高频开关电路。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级，可在110至800之间变化，适用于多种放大电路设计。此外，LDTC143YET1G的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压（VCEO）可达50V，使其在多种电源条件下都能稳定运行。
　　其SOT-23封装不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺，广泛应用于便携式电子产品和通信设备中。此外，该器件的功耗较低，典型值为300mW，能够在低功耗应用场景中提供稳定的性能。
　　LDTC143YET1G还具备良好的温度适应性，工作温度范围从-55°C到+150°C，能够适应恶劣的工作环境，确保在各种工业和消费电子应用中的可靠性。

LDTC143YET1G广泛应用于射频（RF）放大器、高频开关电路、音频放大器、振荡器以及数字逻辑电路中。
　　由于其高频特性优异，常用于无线通信设备中的信号放大和调制电路。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频前置放大器、传感器接口电路和低噪声放大器（LNA）等场景。
　　此外，LDTC143YET1G也适用于工业控制系统、汽车电子和便携式电子设备中的信号处理和开关控制电路。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A