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2SB1243TV2Q 发布时间 时间:2025/8/7 12:15:41 查看 阅读:32

2SB1243TV2Q 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的PNP型双极性晶体管(BJT),常用于高频放大和开关应用。该晶体管采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于通信设备、射频(RF)电路、音频放大器和便携式电子产品中。

参数

晶体管类型:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):-30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):100mW
  过渡频率(fT):100MHz
  集电极-基极击穿电压(VCBO):-30V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):-5V
  最大工作温度:150°C

特性

2SB1243TV2Q 具有良好的高频性能和稳定的电流放大特性,适用于高频信号放大和低功率开关应用。其SOT-323封装结构不仅节省空间,还便于自动化贴片生产。该晶体管具有较低的饱和压降,有助于减少功耗和发热。此外,其高过渡频率(fT=100MHz)使其在射频和中频放大电路中表现出色。晶体管的制造工艺确保了其一致性和可靠性,适合在工业和商业级电子设备中使用。
  该器件的基极-发射极结具有良好的温度稳定性,使其在不同工作条件下仍能保持稳定性能。此外,2SB1243TV2Q 在低电压下也能正常工作,适用于电池供电设备。其封装材料符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子制造流程。
  在测试条件下,该晶体管的电流增益(hFE)在110至800之间,取决于工作电流,提供了良好的设计灵活性。它还具备良好的噪声性能,适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。

应用

2SB1243TV2Q 主要用于射频放大器、音频前置放大器、低功率开关电路、逻辑电平转换、接口电路以及便携式电子设备中的信号处理模块。该晶体管也常用于各类传感器信号放大、无线通信模块中的本地振荡器缓冲放大器,以及低噪声放大器(LNA)设计中。

替代型号

2SB1158, 2SB1112AF, BC856B

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2SB1243TV2Q参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换70MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ATV
  • 供应商设备封装ATV
  • 包装带盒(TB)
  • 其它名称2SB1243TV2Q-ND2SB1243TV2QTB