LDTC115TWT1G 时间：2025/8/13 4:59:03 阅读：25

LDTC115TWT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），主要用于通用开关和放大电路。该晶体管采用 SOT-23 封装，适合高密度 PCB 设计。LDTC115TWT1G 在工业控制、消费电子和通信设备中广泛应用，具有良好的开关特性和稳定性。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LDTC115TWT1G 是一款高性能的 NPN 型晶体管，具有出色的电气性能和可靠性。其主要特性之一是能够在相对较高的电压下工作，VCEO 和 VCBO 均为 50V，适合用于中等电压应用。该晶体管的最大集电极电流为 100mA，适用于低功耗电路中的开关和放大任务。此外，LDTC115TWT1G 的封装为 SOT-23，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　这款晶体管的增益（hFE）在不同电流条件下表现出良好的稳定性，确保在各种工作条件下都能提供可靠的放大性能。其最大功耗为 300mW，能够在较高的环境温度下稳定运行，适用于工业级应用。LDTC115TWT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性。