您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LDTC115TLT1G

LDTC115TLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 8:43:18 查看 阅读:27

LDTC115TLT1G 是一款由ON Semiconductor生产的低压差线性稳压器(LDO)。该器件设计用于在输入和输出电压差非常小的情况下提供稳定的输出电压,从而提高了电源效率。LDTC115TLT1G 采用先进的CMOS工艺制造,具有极低的静态电流和出色的线路与负载调节能力,适用于便携式设备、电池供电系统以及其他对功耗敏感的应用。该LDO稳压器具有内置的过热保护和过流保护功能,以确保器件在各种工作条件下的可靠性。

参数

输出电压:1.5V
  输入电压范围:2.7V至10V
  最大输出电流:150mA
  压差电压:典型值为300mV(在满载条件下)
  静态电流:典型值为75μA
  温度系数:典型值为10ppm/°C
  输出电压精度:±2%
  工作温度范围:-40°C至125°C
  封装形式:SOT-23-5

特性

LDTC115TLT1G 采用先进的CMOS工艺制造,具有极低的静态电流(通常为75μA),从而延长了电池供电设备的使用寿命。该器件的压差电压低至300mV,可在输入和输出电压差异较小的情况下维持稳定的输出电压,提高能效。此外,LDTC115TLT1G 提供出色的线路和负载调节性能,确保即使输入电压或负载发生变化,输出电压也能保持稳定。
  该LDO稳压器内置过热保护(OTP)和过流保护(OCP)电路,以防止器件在异常工作条件下损坏。这些保护功能使其适用于各种恶劣环境和高可靠性要求的应用。此外,LDTC115TLT1G 的输出电压精度为±2%,确保了系统的稳定性和精度。
  LDTC115TLT1G 采用SOT-23-5封装,体积小巧,适合空间受限的设计。该封装还提供了良好的热性能,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。由于其低功耗、高精度和高可靠性,LDTC115TLT1G 非常适合用于便携式电子设备、无线传感器、工业控制系统以及各种低功耗嵌入式系统。

应用

LDTC115TLT1G 主要用于需要低功耗和高效稳压的场合,如便携式电子设备、手持仪器、电池管理系统、无线传感器网络、智能穿戴设备、消费类电子产品以及工业自动化和控制系统。该器件的低静态电流和小封装形式使其成为空间和功耗敏感型应用的理想选择。

替代型号

NCP1117-1.5TLAG LM1117MPX-1.5 NSLDT115T3G LM1117S-1.5/NOPB

LDTC115TLT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价