时间：2025/8/13 7:41:48
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LDTC115GLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于低电压、高效率的功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，能够在较低的导通电阻下提供较高的电流能力，适用于便携式设备、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ @ Vgs=4.5V；120mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散（Pd）：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP-6
LDTC115GLT1G 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件在 Vgs=4.5V 时的 Rds(on) 典型值为 85mΩ，在 Vgs=2.5V 时为 120mΩ，表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能。这使得它适用于由低压控制器或微处理器直接驱动的场合。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流处理能力，连续漏极电流可达 4.4A，适合用于中等功率的开关电路。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动，兼容多种数字控制平台，如 DSP、FPGA 和微控制器。
LDTC115GLT1G 主要用于需要低电压、高效率的功率管理电路中。常见的应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的负载开关和电源管理模块。该器件的低导通电阻和高电流能力使其适用于 DC-DC 升压或降压转换器，能够有效提高能量转换效率并减少热量产生。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002, BSS138
