类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：100 mA
　　最大漏源电压：50 V
　　导通电阻（Rds(on)）：5 Ω
　　栅极阈值电压：1 V 至 2.5 V
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTC114YWT1G 具备多种显著特性，首先是其低导通电阻，这使得在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，其小尺寸 SOT-23 封装使其非常适合用于空间受限的设计中。
　　其次，该 MOSFET 的栅极阈值电压范围适中，能够在多种控制电路中稳定工作。其最大漏极电流为 100 mA，适用于低功率开关应用，例如 LED 驱动、小型继电器控制以及信号切换等场景。
　　LDTC114YWT1G 还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适应了广泛的工作环境，包括汽车电子和工业控制系统。
　　另外，该器件的低功耗特性使其非常适合电池供电设备，有助于延长设备的使用时间并减少热量产生。这在便携式电子设备和节能型电子产品中尤为重要。

LDTC114YWT1G 主要应用于低功率开关电路，例如 LED 照明控制、小型继电器驱动、信号切换和传感器接口电路。此外，它还常用于电池供电设备中的电源管理模块，以实现高效的能量控制。
　　在工业控制领域，该 MOSFET 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出模块，实现信号的快速切换和隔离。在消费电子产品中，它被广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等设备的电源管理电路中。
　　汽车电子也是 LDTC114YWT1G 的一个重要应用领域。它可以用于汽车内部照明控制、车载娱乐系统、车身控制模块（BCM）等场景，提供可靠的开关性能和优异的热稳定性。
　　此外，该器件还适用于各种传感器接口电路，如温度传感器、光敏传感器和加速度传感器等，帮助实现信号的精确控制和高效传输。

2N7002, BSS138, FDN304P