LDTC114TET1G 时间：2025/8/13 23:34:14 阅读：23

LDTC114TET1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电源保护电路。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。LDTC114TET1G封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于便携式电子设备和空间受限的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：4.4A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP

特性

LDTC114TET1G具有低导通电阻，确保在高电流应用中保持较低的功率损耗，提高系统效率。
　　其30V的漏源电压额定值使其适用于多种中低压电源管理场景。
　　该MOSFET采用先进的Trench技术，提供优异的开关性能，有助于减少开关损耗。
　　TSOP封装形式提供了良好的散热能力，并节省PCB空间，适用于紧凑型设计。
　　该器件具备较高的栅极电压容限（±20V），提高了在高压瞬态环境下的可靠性。
　　LDTC114TET1G的热阻（RθJA）较低，使其在高功率密度应用中能够有效散热，防止过热失效。
　　其设计支持快速开关操作，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　由于其优异的电气性能和稳定的可靠性，LDTC114TET1G广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源和其他便携式设备中。

应用

LDTC114TET1G广泛应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。
　　它适用于需要高效率和紧凑设计的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）、电源保护电路和电机控制应用。
　　由于其优异的导通性能和高频响应，LDTC114TET1G适用于开关电源（SMPS）和LED驱动电路。
　　此外，该器件还可用于服务器电源、通信设备和工业控制系统中的电源管理模块。