时间：2025/8/13 20:55:26
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LDTC114EWT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛用于高效率电源转换和负载开关应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力。LDTC114EWT1G 通常用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制等场合。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds: 30V
最大栅源电压 Vgs: ±20V
最大连续漏极电流 Id: 4.1A
导通电阻 Rds(on): 56mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散: 1.4W
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: TSOP
引脚数: 5
晶体管配置: 单
LDTC114EWT1G 具备多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高整体效率。在 Vgs 为 10V 时，Rds(on) 仅为 56mΩ，这对于降低温升和提升系统性能至关重要。
其次，该器件的最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流为 4.1A，使其能够胜任中等功率的电源转换任务。栅极电压范围宽广（±20V），提高了驱动电路的灵活性。
此外，LDTC114EWT1G 采用 TSOP 封装，具有良好的热管理和空间节省特性，适用于对 PCB 空间有严格要求的设计。其最大功率耗散为 1.4W，在正常工作条件下能够保持良好的热稳定性。
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工作环境，具备良好的可靠性和稳定性。LDTC114EWT1G 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。
LDTC114EWT1G 常用于多种电源管理和负载控制应用。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于高效升压或降压转换，提供稳定的输出电压。在电池管理系统中，它可作为负载开关，实现对电池充放电的精确控制。
此外，该器件适用于电机控制电路，能够有效驱动小型直流电机并提供良好的过载保护。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，LDTC114EWT1G 可用于电源管理模块，实现高效能和低功耗运行。
在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于 PLC 输出模块、传感器接口和执行器控制电路。由于其具备良好的热稳定性和快速响应能力，适用于高可靠性要求的工业应用。
LDTC114EWT1G 也适用于 LED 驱动电路，可用于调光控制和电流调节，确保 LED 灯具的稳定性和长寿命。
Si2302DS, FDN304P, IRML2803, AO3400A
